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公开(公告)号:CN114433851B
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202210196060.X
申请日:2022-03-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及银钯合金领域,尤其涉及一种银钯合金粉末的制备方法,包括以下具体步骤:S1、按质量百分比计,称取0.2~2%钯粉末和98~99.8%银粉末;S2、将钯粉末和银粉末加入球磨罐中,并使用球磨设备将银粉末和钯粉末充分混合,得到混合物A;S3、在真空气氛下煅烧混合物A除去球磨过程中混合物A表面附着的氧,得到混合物B。本发明提供的银钯合金粉末的制备方法能制得颗粒尺寸均匀且具有高相对密度的银钯合金粉末,银钯合金粉末制备时无大量团聚现象,以满足生产的需求。
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公开(公告)号:CN117586019A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311486503.X
申请日:2023-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/573 , C04B35/563 , C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/64 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料相关技术领域,其公开了一种高超声速飞行器热端构件及其制备方法与应用,该方法包括以下步骤:(1)以陶瓷‑金属硅‑粘结剂复合粉体为原料打印得到待制备高超声速飞行器热端构件的生坯;其中,所述陶瓷‑金属硅‑粘结剂复合粉体的原料包括陶瓷粉、金属硅、有机粘结剂;(2)将生坯固化后先在氮气条件下无压烧结,然后浸渗碳前驱体并进行反应烧结,进而得到所述高超声速飞行器热端构件。本发明借助氮化在坯体内部生成均匀分布的氮化硅结合相和热解碳,反应烧结渗硅将热解碳转化为碳化硅,使得到的材料内部含有原位氮化生成的氮化硅和反应烧结渗硅生成的二次碳化硅(β‑SiC)作为结合相,具有更优异的力学性能。
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公开(公告)号:CN113061036A
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202110245735.0
申请日:2021-03-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/622 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明属于反应烧结碳化硅制备领域,更具体地,涉及一种复杂结构碳纤维‑SiC晶须增强的SiSiC复合材料及制备方法,制备方法包括:包括如下步骤:(a)将碳化硅、短切碳纤维、热塑性酚醛树脂充分混合后得到SiC‑Cf混合粉体;(b)将SiC‑Cf混合粉体进行3D打印成形,得到SiC‑Cf生坯;(c)对SiC‑Cf生坯浸渗SiO2‑C料浆,而后第一次热处理得到含SiC晶须的SiCw‑SiC‑Cf坯体;(d)对SiCw‑SiC‑Cf坯体浸渗聚碳硅烷有机溶液,然后第二次热处理得到第二坯体;(e)采用渗硅工艺对第二坯体进行致密化。本发明制备得到的碳纤维‑SiC晶须增强的SiSiC复合材料具有优异的力学性能,适用于高超声速飞行器热防护系统、航空发动机热端部件、高性能刹车片等高端装备领域,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN114433851A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202210196060.X
申请日:2022-03-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及银钯合金领域,尤其涉及一种银钯合金粉末的制备方法,包括以下具体步骤:S1、按质量百分百计,称取0.2~2%钯粉末和98~99.8%银粉末;S2、将钯粉末和银粉末加入球磨罐中,并使用球磨设备将银粉末和钯粉末充分混合,得到混合物A;S3、在真空气氛下煅烧银混合物A除去球磨过程中混合物A表面附着的氧,得到混合物B。本发明提供的银钯合金粉末的制备方法能制得颗粒尺寸均匀且具有高相对密度的银钯合金粉末,银钯合金粉末制备时无大量团聚现象,以满足生产的需求。
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公开(公告)号:CN111302806A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN202010110066.1
申请日:2020-02-23
Applicant: 华中科技大学 , 北京钢研新冶精特科技有限公司
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域,并具体公开了一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法。该制备方法具体为:将AlN、Sm2O3的混合粉末或AlN、Y2O3的混合粉末与有机溶剂混合,并利用湿法球磨工艺进行研磨,以此获得混合浆料;采用蒸馏的方式将混合浆料进行固液分离获得干燥粉末;对干燥粉末进行放电等离子烧结,从而制得IC装备用静电卡盘AlN陶瓷。本发明采用Sm2O3或Y2O3作为烧结助剂,能够保证制得陶瓷中形成一种或多种稀土铝酸盐,从而有效改善其体积电阻率,同时本发明采用的放电等离子烧结工艺能够极大地缩短烧结时间,有效提高AlN陶瓷的相对密度,以此满足IC装备用静电卡盘的基材要求。
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公开(公告)号:CN111018537A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911309391.4
申请日:2019-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/64 , B33Y10/00
Abstract: 本发明属于复合材料领域,并具体公开了3D打印制备碳纤维增强SiC陶瓷基复合材料的方法,该方法包括:将SiC粉体与短切碳纤维、粘结剂混合得到混合粉体;利用混合粉体进行激光选区烧结成形,得到SiC/短切碳纤维生坯;将SiC/短切碳纤维生坯表面清粉后进行碳化处理,然后对其浸渗有机碳前驱体溶液,干燥后进行二次碳化处理得到SiC/短切碳纤维/碳素坯;采用液相渗硅法对其进行致密化处理,获得碳纤维增强SiC陶瓷基复合材料。本发明进行二次碳化不仅可以借助碳前驱体固化热解后残留相,增大坯体强度便于后续操作,而且有利于短切碳纤维增韧作用的发挥;此外,碳化裂解后形成的空间网状次生碳可以进一步增强复合材料的力学性能。
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