公开(公告)号：CN102110077B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910251519.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 汪健 ,  刘小淮 ,  刘霞 ,  陈亚宁 ,  张瑾

IPC: G06F17/14

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，特别涉及一种逆位序地址产生器，以解决16～1024点FFT运算中存储器地址的乱序问题，使得最终运算结果的数据输出是顺序的。逆位序地址产生器由专用译码逻辑单元、运算长度标识产生器单元、顺序中间地址产生单元和逆位序地址产生单元组成。其中顺序中间地址产生单元和逆位序地址产生单元均采用选择器构成，不仅在结构上比较简捷，而且在速度上也具有较大的优越性，并且硬件结构简单可以使用在不同的应用环境中，并取得了较好的实际效果。

公开(公告)号：CN102074269A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910185618.9

申请日：2009-11-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李明 ,  杨博 ,  陈浩 ,  陈计学 ,  刘小淮 ,  鲍秀峰

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/32

Abstract: 本发明涉及一种可编程的信息存储电路，具有可编程的信息存储电路主要分为五个部分：复位电路、分频器、时钟选择电路、存储定时器、信号输出电路。电路功能主要有：计时功能，实现延时输出；断电信息存储功能；电可擦除，电可以快速写入。本发明的优点在于断电后，信息存储至少12h；该电路的工作电压高，具有很强的抗干扰能力；延时时间长达400s。

公开(公告)号：CN102110077A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910251519.6

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 汪健 ,  刘小淮 ,  刘霞 ,  陈亚宁 ,  张瑾

IPC: G06F17/14

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，特别涉及一种逆位序地址产生器，以解决16～1024点FFT运算中存储器地址的乱序问题，使得最终运算结果的数据输出是顺序的。逆位序地址产生器由专用译码逻辑单元、运算长度标识产生器单元、顺序中间地址产生单元和逆位序地址产生单元组成。其中顺序中间地址产生单元和逆位序地址产生单元均采用选择器构成，不仅在结构上比较简捷，而且在速度上也具有较大的优越性，并且硬件结构简单可以使用在不同的应用环境中，并取得了较好的实际效果。