公开(公告)号：CN119876893A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411862463.9

申请日：2024-12-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  杨鏊 ,  刘宇晨 ,  韦欣怡 ,  张建军 ,  陈良贤 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/16 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明提供一种转移生长高密度垂直碳纳米管‑金刚石复合材料的方法，属于功能材料与器件制造技术领域。所述方法包括：在Si衬底表面生长高密度的VCNT；在VCNT‑Si复合材料基底表面多次进行形核液涂覆；采用CVD技术，逐渐在VCNT‑Si表面生长出连续金刚石薄膜；利用VCNT在金刚石衬底上的附着力优于Si衬底上的附着性能，分离Si与VCNT‑金刚石复合材料；去除VCNT‑金刚石复合材料表面多余的金属催化剂，得到全碳的VCNT‑金刚石复合材料。本发明采用碳纳米管嵌入金刚石内部形式加固高密度VCNT与金刚石衔接，基于一维和三维碳制备出全碳型同素异构复合体。该方法适合大尺寸、高密度、高均匀、界面强衔接与高传热效率的超黑VCNT‑金刚石复合材料的制备，可用于高辐射、强磁场等极端环境。

公开(公告)号：CN118507440A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410578982.6

申请日：2024-05-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  韦欣怡 ,  冯旭瑞 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  李成明

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器及其制备方法，涉及高热流密度电子器件散热技术领域，包括表面具有凹槽微通道的金刚石板，凹槽微通道的通道壁表面生长有垂直取向的碳纳米管，通过利用化学气相沉积方法实现高质量自支撑金刚石膜生长；机械研磨控制自支撑金刚石膜厚度及表面质量；采用激光技术加工获得满足尺寸及规格要求的金刚石块以及不同尺寸及形状的金刚石微通道；在金刚石微通道内部生长高取向碳纳米管并进行浸润性调整，提升金刚石微通道表面与传热工质热交换性能。本发明实现了金刚石微槽道更大的散热面积与更高的传热效率，可以应用于电子芯片、光伏电池、卫星等需要高热排散效率的微电子设备。

公开(公告)号：CN116344357A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310414692.3

申请日：2023-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  梁礼峰 ,  王越 ,  董春燕 ,  韦欣怡 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427 ,  H01L23/373 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法，所述方法采用研磨抛光双面金刚石自支撑板为基底，通过甩胶、曝光、显影、ICP刻蚀、激光切割获得表面带有微空腔支柱的金刚石底板；再将钼粉填充至底板的微空腔支柱内和支柱间隙且填充钼粉与底板外沿高度一致，以CVD技术继续生长金刚石，之后对底板进行封装使其具有一定的厚度；最终通过超声酸洗去除钼粉，获得一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉。该产品能够有效进行沸腾能量传递，在能量应用中具有巨大的效用。同时克服了长久以来的通过金刚石微通道提高散热的技术偏见，避免了现有技术中诸多降低散热效率的缺陷，进一步提高了HTC和CHF，利于工业大规模推广和使用。