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公开(公告)号：CN119921552A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374449.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体功率器件以及变换器，该半导体功率器件包括：开关结构，包括至少两个可关断半导体器件以及至少两个驱动器，至少两个可关断半导体器件串联，驱动器与可关断半导体器件一一对应电连接，驱动器用于向开关结构中至少一个其他驱动器定时发送心跳信号，驱动器还用于至少在预定周期内未接收到其他驱动器的心跳信号的情况下，控制对应的可关断半导体器件保持导通状态；电压钳位电路，并联在至少两个可关断半导体器件的两端，电压钳位电路在剩余可关断半导体器件的耐压值小于电压钳位电路的动作电压的情况下，将开关结构中所有的剩余可关断半导体器件击穿，剩余可关断半导体器件为开关结构中未短路失效的可关断半导体器件。
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公开(公告)号：CN119920772A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374475.5
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件，其中，功率半导体封装结构包括：半导体芯片；第一极电连接结构，设置在半导体芯片的第一侧；第二极电连接结构，设置在半导体芯片的第二侧，第二极电连接结构包括缓冲结构、极座以及液态金属介质，缓冲结构设置在半导体芯片与极座之间，缓冲结构与极座之间形成容纳空间，液态金属介质设置在容纳空间内，缓冲结构与极座之间密封连接以防止液态金属介质脱离容纳空间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的压接封装难度大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN119920697A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510369140.4
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及一种IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构，其中，IGCT器件的封装方法包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连。本申请在晶圆与电极互连过程中提供了释放热应力的空间，减少或避免了互连过程中因热应力而发生翘曲变形的风险，从而在不影响热阻优化效果的同时提高了IGCT器件的封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN119891795A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510371498.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M7/483 , H02M7/493 , H02M7/5387 , G01R1/28
Abstract: 本公开涉及一种电流源型变换器及等效应用工况测试电路。该电流源型变换器包括：多电平变换单元、总交流端口以及总直流端口。多电平变换单元包括均具有第一端口、第二端口和第三端口的多电平变换器和主变换器。总直流端口具有第一端和第二端。其中，多电平变换器的第一端口连接主变换器的第一端口；多电平变换器的第二端口连接总直流端口的第一端；多电平变换器的第三端口连接总直流端口的第二端；主变换器的第二端口连接多电平变换器的第二端口和总直流端口的第一端；主变换器的第三端口连接总交流端口。本公开能够同时提升电流源的可编程性能和其桥臂电平效率，并降低实现难度。
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公开(公告)号：CN119891709A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374467.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M1/06 , H02M1/08 , H02M1/32 , H03K17/56 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动电路及其控制方法，该驱动电路至少包括第一电感换流模块，第一电感换流模块的两端分别用于与阴极和门极电连接，第一电感换流模块包括换流子模块、续流子模块以及定向子模块，换流子模块用于将功率半导体器件的电流由阴极换流至门极，换流子模块的第一端、续流子模块的第一端以及阴极电连接，续流子模块用于为换流子模块续流，换流子模块的第二端与续流子模块的第二端电连接，续流子模块的第三端与定向子模块的第一端电连接，定向子模块用于控制功率半导体器件的电流由门极流入续流子模块，定向子模块的第二端与门极电连接。该驱动电路解决了如何提升功率半导体器件的可靠性的技术问题。
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公开(公告)号：CN119881583A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374452.4
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种可关断晶闸管结温确定方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：确定表征可关断晶闸管的存储时间、工作电流以及工作结温之间关系的预定关系，存储时间为在关断过程中，由于可关断晶闸管的内部载流子存储效应使得可关断晶闸管延迟关断的时长，工作电流为在可关断晶闸管主动关断前流经可关断晶闸管的电流；获取可关断晶闸管的实际存储时间以及实际工作电流，实际存储时间为实际的存储时间，实际工作电流为实际的工作电流；根据实际存储时间、实际工作电流以及预定关系，确定可关断晶闸管的实际工作结温。本申请至少解决现有技术中可关断晶闸管器件的结温测量不准确，威胁系统和装备的安全稳定运行的问题。
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公开(公告)号：CN119880922A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374464.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体芯片的检测方法和半导体芯片的检测装置，半导体芯片的表面具有多个阴极梳条，该方法包括：获取半导体芯片的表面结构的图像数据；利用图像处理技术，对图像数据进行分析，以识别各阴极梳条的位置，得到各阴极梳条对应的位置信息；根据各位置信息，控制探针移动，使得探针依次与各阴极梳条接触，以检测各阴极梳条是否存在缺陷。本申请解决了现有半导体芯片检测过程中，由于阴极梳条实际位置与预设位置存在误差，主要通过人工来校对探针与芯片中的阴极梳条的测试，导致测试效率低下且准确性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119560385A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN118801666A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410812210.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种电流源型功率半导体器件的驱动方法、器件、电路及电子设备，属于电源管理技术领域。所述电流源型功率半导体器件的驱动方法应用于耗尽型元器件，包括：响应于器件开通指令，通过电源管理模块向开通模块内开关元器件输入正偏电压，向维持模块内开关元器件输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件维持通流指令，通过电源管理模块向维持模块内开关元器件输入正偏电压，向开通模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件关断指令，通过电源管理模块向开通模块和维持模块内开关元器件均输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入正偏电压。本申请设计了一种电流源型功率半导体器件的驱动方法，能够可靠实现对耗尽型元器件的驱动控制。
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公开(公告)号：CN118739813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410814101.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的驱动电路、驱动方法和功率器件。所述驱动电路包括：开通模块、门极模块和阴极模块；其中，阴极模块的第一端与功率器件中的功率半导体的阴极连接，阴极模块的第二端分别与开通模块和门极模块的第二端连接；开通模块的第一端与功率半导体的门极连接，门极模块的第一端与功率半导体的门极连接。通过各模块的导通或断开实现功率器件的开通或断开，无需在每次关断完成后进行重新充电，降低了传统驱动电路和驱动方法导致的功率器件功率过高的问题，同时提高了功率器件的开关频率，且在功率器件的阴极增加阴极模块，使功率器件具有正温度特性，提高了功率器件的关断增益，从而提高了功率器件的工作性能。
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