公开(公告)号：CN109742141A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811467122.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 一种GaN基HEMT器件及其制备方法，由于GaN基HEMT器件的栅结构采用三掩膜版结构(3-mask)，即在栅金属层和p-GaN帽层增加一层金属层，可以显著降低栅阻，增加场板设计的灵活性。使得器件在高VDS下减少动态通断，由于栅金属的中含有Al成分，而且刻蚀沉积栅金属时没有影响p-GaN层，所以其栅电阻很小，其栅控能力增强，从而进一步提升器件的整体性能。

公开(公告)号：CN109742135B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN201811466155.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。

公开(公告)号：CN109742135A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811466155.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。