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公开(公告)号：CN117275925A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311462611.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京大学 , 东莞金坤新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种快速制备高矫顽力钐铁氮磁粉的方法，属于磁性材料技术领域。本发明的方法首先在惰性气体环境中，将钐铁氮粗粉和软磁研磨棒放入研磨管，然后在交流电磁驱动式的低温破碎设备的交流磁场的吸引作用下，软磁研磨棒以一定频率往复冲击研磨，获得高矫顽力钐铁氮细粉。本发明采用液氮磁吸式破碎，快速制备高矫顽力钐铁氮细粉，极大地提高了钐铁氮磁粉的生产效率，同时提高了钐铁氮磁粉的产品质量稳定性。
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公开(公告)号：CN114154519B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210117255.0
申请日：2022-02-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于加权标签平滑的神经机器翻译模型训练方法，属于自然语言处理中的机器翻译领域。本发明为了解决词汇共享和标签平滑两个技术潜在的冲突，首先通过计算源端词汇，共享词汇和目标端词汇，生成新的训练标签向量，使用新生成的标签向量进行序列到序列的神经机器翻译模型训练。本发明为模型注入额外的机器翻译任务相关的先验信息，加强模型在翻译任务上的表现；通过动态调节标签平滑，避免了将平滑概率仅分配给源端词汇产生的误差，进一步提高了神经机器翻译模型的性能。
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公开(公告)号：CN114361257A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210007405.2
申请日：2022-01-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种高速度、高耐久、低涨落的FeFET及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明首先利用刻蚀高k栅介质使其形成多个沟槽，之后在沟槽中生长铁电HZO，再用化学机械抛光减薄至特定尺寸并退火的方法制备FeFET栅叠层。本发明每个沟槽内生长的铁电HZO单相性高，甚至接近单晶，极化取向及极化翻转一致性非常高，有利于提升FeFET的读写速度，降低器件与器件之间的涨落，且利用氧化物半导体作为沟道，可消除界面层的存在，提升FeFET的保持特性和耐久特性。本发明制备工艺与CMOS后端工艺兼容完全兼容，有望和CMOS逻辑电路混合集成。
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公开(公告)号：CN114154519A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202210117255.0
申请日：2022-02-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于加权标签平滑的神经机器翻译模型训练方法，属于自然语言处理中的机器翻译领域。本发明为了解决词汇共享和标签平滑两个技术潜在的冲突，首先通过计算源端词汇，共享词汇和目标端词汇，生成新的训练标签向量，使用新生成的标签向量进行序列到序列的神经机器翻译模型训练。本发明为模型注入额外的机器翻译任务相关的先验信息，加强模型在翻译任务上的表现；通过动态调节标签平滑，避免了将平滑概率仅分配给源端词汇产生的误差，进一步提高了神经机器翻译模型的性能。
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公开(公告)号：CN109300911B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811056234.2
申请日：2018-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法。利用两个具有单向导电性的二维半导体异质PN结并联，再配合固定电阻，即可以实现与/或逻辑功能。通过栅压的改变调节二维半导体异质结的单向导电性的方向，实现从PN结到NP结的变化。当二维半导体异质结处于不同的单向导电的方向时，能够分别实现与逻辑功能，或逻辑功能，即通过改变栅压，可以实现与/或逻辑的转变。本发明器件制备工艺简单，电路实现容易，大大降低电路面积，可实现大规模集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831928B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810634017.0
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及其制备方法，采用二维合金半导体材料HfZrSe2作为沟道材料，使之表面在空气中氧化生成HfZrO2，再通过退火得到具有铁电性的HfZrO2介质层，并在其上方淀积一层高k栅介质层，形成混合结构的栅介质。这样的器件结构不仅可以获得良好的栅介质和沟道二维半导体材料界面，减小界面态对亚阈特性的恶化，有利于获得超陡的亚阈斜率，同时，上层的高k栅介质能够保护下方的铁电特性的HfZrO2介质，使其和空气隔绝，使得器件的稳定性大大提高。本发明器件制备工艺简单，可实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN119403175A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411459599.5
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于铁电半导体沟道和反铁电栅介质的高耐久FeFET及其制备方法，本发明FeFET结构中依次堆叠的背栅电极层、反铁电栅介质层、铁电半导体沟道层、顶栅高k栅介质层和顶栅电极层，反铁电栅介质层作为背栅介质层，顶栅高k栅介质层作为顶栅介质层，背栅介质层厚度大于顶栅介质层厚度，构成不对称双栅结构。本发明利用氧化铪基反铁电薄膜替换铁电薄膜作为FeFET的栅介质，有效降低操作电压；铁电半导体沟道与反铁电栅介质之间无界面层，抑制了传统FeFET与界面层相关联的电荷俘获和缺陷生成造成的耐久性失效；铁电半导体沟道面外自发极化连续精准可调特性，和基于FeFET不对称双栅结构而具有相互切换的栅存储模式和沟道存储模式，有望使FeFET展现更高的耐久性。
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公开(公告)号：CN119097886A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411370864.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 北京大学第三医院崇礼院区(张家口市崇礼区人民医院)
IPC: A63B23/08 , A63B21/00 , A63B21/055 , A61H1/02
Abstract: 本发明公开了多角度踝关节锻炼装置，涉及医疗器材技术领域，包括力量调节机构、升降调节机构、位置调节机构、角度调节机构；力量调节机构包括：上圆环、限位环、圆弧滑块、弹片、侧板、垂直架、垂直滑块、螺垂直纹杆、弹力绳；限位环上面的连接点处通过螺栓禁锢在上圆环上，圆弧滑块滑动安装在上圆环上的滑轨上，弹片固定安装在圆弧滑块的两侧，弹片的下面与上圆环的上面接触，侧板固定安装在圆弧滑块的侧面；本发明在使用时，能够根据患者的需求进行不同强度的力量恢复训练，采用更换弹力绳及手动调节弹力绳的使用长度的方式，改变弹力绳的弹力，从而适应不同强度的训练环境。
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公开(公告)号：CN108807553B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810634014.7
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。本发明利用这种掺杂方法在二维半导体材料中形成同质的突变PN结，同时不会在禁带中引入带尾，对于电子器件应用具有十分重要的意义；且该掺杂方法不存在由于离子碰撞产生的晶格损伤，同时稳定性大幅提升，制备工艺简单，易于推广到大规模生产。
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公开(公告)号：CN109300911A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811056234.2
申请日：2018-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法。利用两个具有单向导电性的二维半导体异质PN结并联，再配合固定电阻，即可以实现与/或逻辑功能。通过栅压的改变调节二维半导体异质结的单向导电性的方向，实现从PN结到NP结的变化。当二维半导体异质结处于不同的单向导电的方向时，能够分别实现与逻辑功能，或逻辑功能，即通过改变栅压，可以实现与/或逻辑的转变。本发明器件制备工艺简单，电路实现容易，大大降低电路面积，可实现大规模集成。
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