公开(公告)号：CN102623505A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210096469.0

申请日：2012-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  罗长宝 ,  安霞 ,  张兴 ,  杨东 ,  刘长泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括凸形沟道、源、漏、底栅和顶栅，凸形沟道左右两边延伸到源端，凸形沟道凸起的部分连接漏。本发明由于单粒子垂直漏端入射的时候只经过沟道的垂直部分，不经过凸形沟道左右延伸部分，沟道左右延伸部分得到保护，重粒子辐照后沟道受影响的范围比较小，因而抗单粒子性能得到改善。且本发明提出了漏端位于沟道的凸起上，漏端与STI区完全隔开，STI区陷入的电荷无法在源漏间形成泄漏通道，因而具有很好的抗总剂量特性。

公开(公告)号：CN102623638A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210116833.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  毛俊 ,  蔡一茂 ,  潘岳 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  黄英龙 ,  林増明 ,  罗长宝

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。

公开(公告)号：CN102623638B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210116833.5

申请日：2012-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  毛俊 ,  蔡一茂 ,  潘岳 ,  杨庚雨 ,  唐昱 ,  黄英龙 ,  林増明 ,  罗长宝

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。

公开(公告)号：CN102623505B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210096469.0

申请日：2012-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  罗长宝 ,  安霞 ,  张兴 ,  杨东 ,  刘长泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括凸形沟道、源、漏、底栅和顶栅，凸形沟道左右两边延伸到源端，凸形沟道凸起的部分连接漏。本发明由于单粒子垂直漏端入射的时候只经过沟道的垂直部分，不经过凸形沟道左右延伸部分，沟道左右延伸部分得到保护，重粒子辐照后沟道受影响的范围比较小，因而抗单粒子性能得到改善。且本发明提出了漏端位于沟道的凸起上，漏端与STI区完全隔开，STI区陷入的电荷无法在源漏间形成泄漏通道，因而具有很好的抗总剂量特性。