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公开(公告)号：CN104089572B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN103337380A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN103337380B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN104048592B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN104048592A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104089572A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410364545.0
申请日：2014-07-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G01B7/34
Abstract: 本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。
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公开(公告)号：CN106370330B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510427298.9
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于片上冲击强度检测试验机利用电流变化检测微结构冲击碰撞应力波脉宽和峰值方法。该方法包括：1)选择标准SOG体硅工艺和标准压阻工艺流程制作片上冲击强度检测试验机、测试样品、测试样品压阻区域和功能器件；2)将电源和电流测试仪器与片上冲击强度检测试验机的可动部件和被测试样品串联形成测试电路；3)利用片上冲击强度检测试验机进行冲击试验，记录每次冲击试验中产生的电流脉冲图形；4)测量测试样品冲击破坏前一加载情况下电流脉冲图形的峰值和脉冲宽度，其脉冲宽度则为应力波作用脉宽，同时利用压阻公式，通过电流脉冲峰值计算应力波峰值大小。本发明能够方便、准确地计算出应力波脉宽和峰值。
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公开(公告)号：CN105716750B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610037420.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜，提高了KOH背腔腐蚀工艺中掩膜对K+的阻挡特性从而保证传感器的高可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中的玻璃起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。本发明的MEMS压阻式压力传感器同时具有较高的灵敏度和线性度，其制备方法兼容于通用的MEMS加工技术，产品可靠性以及成品率较高。
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公开(公告)号：CN104697700B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510063605.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的控制精度，大幅提高芯片成品率；在完成键合面金属引线和键合面绝缘介质隔离层的制备后利用CMP工艺对待键合硅面做平整化处理，可以有效的提高硅玻璃阳极键合的气密性和强度，提高芯片长期可靠性；同时，通过键合面绝缘介质隔离层的制备有效避免了阳极键合过程中的高能离子对键合界面金属引线的损耗，可以有效提高金属电信号连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN106370375A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510427254.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01M7/08
Abstract: 本发明公开了一种新型热驱在线测试微结构冲击强度试验机及检测方法。该新型热驱片上试验机实现了即时的微结构冲击强度测试，利用热驱执行器实现自加载和卸载，排除人为偶然因素，极大地提高了测试准确度，同时利用热驱执行器和V型放大杠杆可以获得传统方法难以获得的大冲击和大冲击脉宽。同时基于该新型试验机提出的测试方法通过同次光刻同次刻蚀释放保证片上试验机的被测样品和实际工作的功能器件具有一致的冲击强度，排除了工艺误差带来的干扰。该方法针对不同尺寸的测试样品，通过调整试验机中冲击质量块以及柔性长梁尺寸保证试验机能够产生高强度的冲击载荷。该方法在获取冲击断裂加速度时，通过记录实际断裂加载挠度，利用商业ansys软件建立力学模型，随后将容易记录的加载位移代入力学模型来获取难以测量的冲击加速度和产生的应力峰值。
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