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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119849401A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411822092.1
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F30/333 , G06F30/33 , G06F21/72 , G06F21/64
Abstract: 本公开提供一种保护电路、测试模式保护方法和芯片，包括：随机数发生电路，生成若干随机数；控制逻辑电路，根据若干随机数，确定写入的防攻击验证数据，并确定读取熔丝数据和已写入的防攻击验证数据的读取顺次；计数逻辑电路，根据所述若干随机数中的任一随机数进行计时处理，并在计时时长达到对应时长时，根据读取顺次读取熔丝数据和已写入的防攻击验证数据；判断逻辑电路，根据写入的防攻击验证数据，与读取到的已写入的防攻击验证数据是否一致，以及读到的熔丝数据是否为表示锁定状态的值，确定是否进入测试模式。据此，增加了攻击难度，即使某次攻击成功修改了熔丝数据，验证步骤也会检测到异常并阻止进入测试模式，从而有效保护数据。
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公开(公告)号：CN114076883A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111327774.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。
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公开(公告)号：CN106653096A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611189047.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 王辉
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56004 , G11C29/56016
Abstract: 本发明公开了一种NVM测试读取加速方法及电路，该电路包括用于产生NVM地址的地址生成逻辑、用于存储信息的NVM存储器、用于产生期望数据的比较数据生成逻辑，用于产生比较结果的比较逻辑，以及相关的寄存器等。在NVM读取加速测试时，通过软件启动，硬件自动执行NVM数据读比对的工作：硬件自动根据存储器中软件配置值进行计算，并操作NVM读出数据，同时计算出预期数据，并将两个数据进行比较，得到比较结果来决定是否继续测试。若结果相等，则可以继续进行下一个地址的比较，若结果不等，停止测试，并将结果输出给软件，软件则可以通过读取寄存器的方式进行分析调试。本发明所述的方法能够有效减少NVM存储器读取比较数据时间。
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公开(公告)号：CN114076883B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111327774.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种老化电路、芯片老化测试方法及芯片。该老化电路包括：随机数发生模块，根据模式信号生成老化图形；以及扫描链模块，至少根据模式信号将老化图形发送至待测电路，其中，随机数发生模块在接收到有效状态的模式信号之后，生成随机数，并根据随机数生成随机的老化图形。该老化电路降低了老化板硬件开发成本，并且提供了随机的老化图形，使得所有的图形组合都有机会被施加到待测电路，即待测电路中的所有逻辑结构都有机会被图形遍历到，保证了老化测试覆盖率。
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公开(公告)号：CN107966644A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710990097.9
申请日：2017-10-23
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 王辉
Abstract: 本发明公开了一种随机密钥的测试模式保护方法及电路，该电路包括用于接收测试模式序列和密钥的接收逻辑、产生NVM控制信号的NVM控制逻辑、用于存储信息的NVM存储器、用于解密NVM存储密钥的解密逻辑、用于比较密钥的数据比较逻辑、用于产生随机密钥的随机数发生器、以及相关寄存器等。
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