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公开(公告)号：CN116168749B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310204047.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路，嵌入式Flash存储器包括多个扇区，每个扇区包括至少一行的多个存储单元，各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线，各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线；各列存储单元的漏端连接于同一条位线，同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线，同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线；驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压，向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。
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公开(公告)号：CN116486849A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310457056.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于存储器的驱动电路及存储器，所述驱动电路包括：参考电压模块，根据电源电压产生参考电压并输出；镜像模块，根据所述参考电压、电源电压产生多路驱动电流；补偿控制模块，在使能信号变为有效状态开始的预设时间内根据所述使能信号产生控制信号；以及补偿模块，与所述参考电压的输出端连接，根据所述控制信号调节所述输出端处的电流，以调节所述参考电压。本申请提供的用于存储器的驱动电路及存储器，可以降低使能信号切换时参考电压受到的波动干扰和减少参考电压恢复到目标值的时间，进而提高读取数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN117012253A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310917497.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于存储器的读取电路及存储器，所述读取电路包括：第一比较器，所述第一比较器的第一输入端与存储单元的位线连接以接收位线电流，所述第一比较器的第二输入端接收参考电流；补偿模块，用于对所述参考电流进行补偿，和/或对所述存储单元的字线电压进行补偿，从而随温度升高而增大所述位线电流和所述参考电流之间的差值。本申请提供的存储器的读取电路及存储器，通过在读取电路中增加补偿模块，以随温度增高而对位线电流和/或参考电流进行补偿，从而减小所述位线电流与所述参考电流的差值与温度的相关性，从而增加高温时读操作的窗口，进而提高存储器高温下的读可靠性。
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公开(公告)号：CN116758963B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202310815581.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。
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公开(公告)号：CN116030867A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211600212.4
申请日：2022-12-13
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种存储器的译码功能的译码验证方法及其验证系统。存储器用于在多个地址信息下产生多个模拟电压信号。译码验证方法包括：确定存储器的每个地址信息对应的多个模拟电压信号的电压检测时刻；检测地址信息和与地址信息对应的多个模拟电压信号；若在电压检测时刻开始的模拟电压信号大于电压阈值时，输出该模拟电压信号及对应的地址信息。如此利用该译码验证方法，对不同的地址信息的多个模拟电压信号进行分批验证，以筛选出大于电压阈值的模拟电压信号和对应的地址信息，筛选数据量小，测试效率高，且正确率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112003573A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010893461.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种宽输入和输出范围放大器电路。电路使用1.5V电源供电，工作时，输入电压范围0.2V-1.2V，同时有较高的负载驱动能力。本发明电路包括差分放大器、输出级、放电电路；所述差分放大器由零阈值和普通阈值两组输入对管组成。根据不同的输入电压，选择放大器的输入对管，保证输入电压范围内的增益，同时将输出电压OUTP和差分放大器输入端IN_N相连接，通过将IN_P和OUP的差值进行放大，使OUTP电压输出达到目标电位。所述输出级是一个共源级放大电路，目的是增强差分放大器输出信号的驱动能力，能够驱动1纳法数量级的容性负载，同时具有较强的电压的上拉能力和输出范围。所述放电电路能够将电路负载进行快速放电，快速建立输出电压OUTP。
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公开(公告)号：CN116758963A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310815581.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。
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公开(公告)号：CN116168749A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310204047.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路，嵌入式Flash存储器包括多个扇区，每个扇区包括至少一行的多个存储单元，各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线，各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线；各列存储单元的漏端连接于同一条位线，同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线，同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线；驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压，向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。
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公开(公告)号：CN113922801A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111336421.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种多电压域开关控制集成电路，电路使用以1.5V为电源的输入信号来控制传输10V的高电压。工作时，此开关电路有两条传输通路，其中一条通路传输0～2.5V电压范围，另一条通路传输8～12V电压范围，此开关电路涉及多种不同的电压值，因此需要精确控制才能正常传输。本发明电路包括三个MOS开关管、三个开关控制电路：所述MOS开关管导通时可以传输正确的电压，关闭时电压不能传输为截止状态；所述开关控制电路为电平移位器功能的电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或者关闭，本发明的优点在于采用此结构传输高电压时对高电压的时序无约束。
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公开(公告)号：CN112003573B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010893461.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种宽输入和输出范围放大器电路。电路使用1.5V电源供电，工作时，输入电压范围0.2V‑1.2V，同时有较高的负载驱动能力。本发明电路包括差分放大器、输出级、放电电路；所述差分放大器由零阈值和普通阈值两组输入对管组成。根据不同的输入电压，选择放大器的输入对管，保证输入电压范围内的增益，同时将输出电压OUTP和差分放大器输入端IN_N相连接，通过将IN_P和OUP的差值进行放大，使OUTP电压输出达到目标电位。所述输出级是一个共源级放大电路，目的是增强差分放大器输出信号的驱动能力，能够驱动1纳法数量级的容性负载，同时具有较强的电压的上拉能力和输出范围。所述放电电路能够将电路负载进行快速放电，快速建立输出电压OUTP。
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