公开(公告)号：CN116030867A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211600212.4

申请日：2022-12-13

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 白俊峰 ,  许延华 ,  佟慧超 ,  孟颖

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请提供一种存储器的译码功能的译码验证方法及其验证系统。存储器用于在多个地址信息下产生多个模拟电压信号。译码验证方法包括：确定存储器的每个地址信息对应的多个模拟电压信号的电压检测时刻；检测地址信息和与地址信息对应的多个模拟电压信号；若在电压检测时刻开始的模拟电压信号大于电压阈值时，输出该模拟电压信号及对应的地址信息。如此利用该译码验证方法，对不同的地址信息的多个模拟电压信号进行分批验证，以筛选出大于电压阈值的模拟电压信号和对应的地址信息，筛选数据量小，测试效率高，且正确率高。

公开(公告)号：CN115713959A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211268138.0

申请日：2022-10-17

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 许延华 ,  佟慧超 ,  孟颖 ,  白俊峰

IPC: G11C29/08

Abstract: 本发明公开了一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构。其中模拟测试电路采用NMOS控制传送0.5～2.75V电位到测试PAD上，eFlash测试电路采用PMOS控制传送4V电位到测试PAD。因两者在电源和控制方式上的差异，简单的连接在一起共用测试PAD容易引起漏电，因此设计此电路。本发明的特征在包括一个NMOS开关管，三个PMOS开关管和一个开关控制电路：所述MOS开关管在导通时可以正确传输待测电位，关闭时则处于截止状态；所述开关控制电路为改进型电平移位器电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或截止。其优点在于当电源电位较低时，电平位移器不工作，避免漏电流产生。

公开(公告)号：CN218729909U

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202222733417.1

申请日：2022-10-17

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 许延华 ,  佟慧超 ,  孟颖 ,  白俊峰

IPC: G11C29/08

Abstract: 本实用新型公开了一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构。其中模拟测试电路采用NMOS控制传送0.5～2.75V电位到测试PAD上，eFlash测试电路采用PMOS控制传送4V电位到测试PAD。因两者在电源和控制方式上的差异，简单的连接在一起共用测试PAD容易引起漏电，因此设计此电路。本实用新型的特征在包括一个NMOS开关管，三个PMOS开关管和一个开关控制电路：所述MOS开关管在导通时可以正确传输待测电位，关闭时则处于截止状态；所述开关控制电路为改进型电平移位器电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或截止。其优点在于当电源电位较低时，电平位移器不工作，避免漏电流产生。