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公开(公告)号：CN119789541A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411903480.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于锑化镓和铟镓砷的机械式叠层热光伏电池及其制备方法，设计了一种机械式叠层热光伏电池结构，两电池电气隔离、上下堆叠，该结构支持单独引线输出，克服传统串联模式的电流限制问题，并显著提高系统的抗损毁性。通过在锑化镓电池背面镀覆一层铟镓砷电池的减反射层，实现两电池的紧密接触，同时提升光子的透过率和吸收效率。铟镓砷电池采用钨掺杂氧化铟透明导电层作为正电极，与锑化镓背面的减反射层结合，避免堆叠过程中形成空气层，有效减少光子损耗并提升堆叠效率。针对这种机械式叠层热光伏电池结构，提出了新的制备方法。本发明能够提高光谱利用效率、优化电池结构并增强系统可靠性。
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公开(公告)号：CN115773800A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211524252.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 兰州大学
IPC: G01F23/284
Abstract: 本申请涉及核废料处理领域，具体而言，涉及一种核废罐内废料高度测量方法。该核废罐内废料高度测量方法，包括：将发射装置安装于罐体的第一预设位置，将接收装置安装于罐体的第二预设位置；测量发射装置的罐外高度数据；接收所述接收装置输出的表征所述废料高度的高度信号，并结合所述罐外高度数据确定所述废料的高度；其中，所述第一预设位置低于所述第二预设位置。由此，该核废罐内废料高度测量方法通过发射装置及接收装置的设置，便可以对核废罐内的核废料高度进行非接触式的精确测量，进而能够对核废罐内的核废料进行监管，从而便于核废料的运输和处理工作的进行。
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公开(公告)号：CN113948588A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111391159.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0693 , H01L31/18 , H02S10/30
Abstract: 本发明涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池的制备方法，属于热光伏电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将P型GaSb晶片清洗干燥；S2、在P型GaSb晶片正面进行纹理刻蚀，并制备Si3N4或Ta2O5减反膜；S3、在P型GaSb晶片的背面抛光后制备SiO2或TiO2钝化层，然后定义出N+型区域，去除钝化层，通过热扩散硒形成N+型扩散层；S4、在P型GaSb晶片的背面补充沉积钝化层，然后定义出P+型区域，去除钝化层，通过热扩散锌形成P+型扩散层；S5、再次在P型GaSb晶片的背部补充沉积钝化层，然后定义出负电极区域和正电极区域，去除钝化层，制备负电极和正电极。本发明将IBC结构与GaSb热光伏电池结合，制备过程可靠有效，显著提高了GaSb热光伏电池的内外量子效率和输出功率密度。
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公开(公告)号：CN113948588B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111391159.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0693 , H01L31/18 , H02S10/30
Abstract: 本发明涉及一种IBC结构锑化镓热光伏电池的制备方法，属于热光伏电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将P型GaSb晶片清洗干燥；S2、在P型GaSb晶片正面进行纹理刻蚀，并制备Si3N4或Ta2O5减反膜；S3、在P型GaSb晶片的背面抛光后制备SiO2或TiO2钝化层，然后定义出N+型区域，去除钝化层，通过热扩散硒形成N+型扩散层；S4、在P型GaSb晶片的背面补充沉积钝化层，然后定义出P+型区域，去除钝化层，通过热扩散锌形成P+型扩散层；S5、再次在P型GaSb晶片的背部补充沉积钝化层，然后定义出负电极区域和正电极区域，去除钝化层，制备负电极和正电极。本发明将IBC结构与GaSb热光伏电池结合，制备过程可靠有效，显著提高了GaSb热光伏电池的内外量子效率和输出功率密度。
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公开(公告)号：CN114330066B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202111656167.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请提供了一种同位素热光伏系统中晶元尺寸的确定方法及装置，其中，该方法包括：步骤1：获取同位素热光伏系统的简化组成器件；步骤2：将简化组成器件的材料固有参数、边界条件参数、空间尺寸导入有限元软件，形成三维模型；步骤3：划分三维模型的有限单元网格，形成网格节点；步骤4：通过辐射热通量接口获取网格节点的辐射光照强度；步骤5：将辐射光照强度导入拓扑数学模型，确定各个晶元的长度yj、宽度xij；步骤6：基于长度yj、宽度xij计算平均因子，若平均因子大于预设阈值，则将yj、xij确定为晶元的最优尺寸，否则，重复步骤2至步骤6，直至平均因子大于预设阈值。本申请能够提高同位素热光伏系统的发电功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116130553B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211677074.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的GaSb异质结红外光电转换器件及其制备方法，所述GaSb红外光电转换器件的结构包括：本征未掺杂的P型锑化镓衬底、一个发射极主栅以及多个正面接触细栅线、与半导体背面接触的背电极以及与P型锑化镓形成PN结的电子传输层。本发明所述制备方法，能够有效简化工艺步骤，避免使用套刻工艺与多次剥离‑浮脱工艺，缩短设计周期，减少材料以及时间成本；降低红外转换器暗电流，由于可以达到对电子传输层以及电极厚度以及结构形状的精确控制，使得所生产的红外光电转换器件的电学性能能够保持稳定，重复性好，并且此种载流子输运过程阻力更小的电极，可以有效提高电池的输出功率密度。
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公开(公告)号：CN116130553A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211677074.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的GaSb异质结红外光电转换器件及其制备方法，所述GaSb红外光电转换器件的结构包括：本征未掺杂的P型锑化镓衬底、一个发射极主栅以及多个正面接触细栅线、与半导体背面接触的背电极以及与P型锑化镓形成PN结的电子传输层。本发明所述制备方法，能够有效简化工艺步骤，避免使用套刻工艺与多次剥离‑浮脱工艺，缩短设计周期，减少材料以及时间成本；降低红外转换器暗电流，由于可以达到对电子传输层以及电极厚度以及结构形状的精确控制，使得所生产的红外光电转换器件的电学性能能够保持稳定，重复性好，并且此种载流子输运过程阻力更小的新型电极，可以有效提高电池的输出功率密度。
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公开(公告)号：CN114330066A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111656167.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请提供了一种同位素热光伏系统中晶元尺寸的确定方法及装置，其中，该方法包括：步骤1：获取同位素热光伏系统的简化组成器件；步骤2：将简化组成器件的材料固有参数、边界条件参数、空间尺寸导入有限元软件，形成三维模型；步骤3：划分三维模型的有限单元网格，形成网格节点；步骤4：通过辐射热通量接口获取网格节点的辐射光照强度；步骤5：将辐射光照强度导入拓扑数学模型，确定各个晶元的长度yj、宽度xij；步骤6：基于长度yj、宽度xij计算平均因子，若平均因子大于预设阈值，则将yj、xij确定为晶元的最优尺寸，否则，重复步骤2至步骤6，直至平均因子大于预设阈值。本申请能够提高同位素热光伏系统的发电功率。
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公开(公告)号：CN119347555A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411914396.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 兰州大学
IPC: B24B1/00 , B24B53/017 , B24B53/00 , B24B55/06
Abstract: 本申请的实施例涉及高硬度金属抛光技术领域，具体涉及高硬度金属定量表面处理方法。当前抛光工艺大多针对铝和镍基合金等硬度小于100HB（布氏硬度）的研究和试验较多，也有少量针对工业使用不锈钢抛光的研究，但对当前航天、航空及深海应用的耐高温高硬度金属构件如钨、钼、钽等的抛光研究很少，定量表便处理工艺研究更是鲜少，为解决以上需求和空白，本发明通过以钨、钼、钽高硬度金属定量抛光5nm、50nm、100nm为例提出了一种高硬度金属定量表面处理方法，该高硬度金属定量表面处理方法包括粗研、精研、抛光、清洗处理，通过特定研磨/抛光液、研磨/抛光盘、转速、压力和研磨/抛光时间的合理设计选择及优化，最终实现特定高硬度金属定量表面处理。
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公开(公告)号：CN114047425A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111497914.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本公开涉及半导体光电器件技术领域，尤其是涉及一种半导体光电器件快速测量装置，包括检测组件、光源组件和安装组件，其中检测组件包括第一平台和第一托盘，第一托盘与第一平台可拆卸连接，第一托盘上开设有第一腔体和第一通孔，半导体光电器件安装于第一腔体内，第一通孔被配置为安装导体结构，第一托盘上设置有检测结构，检测结构被配置为测量半导体光电器件的输出电流、输出电压及电阻；光源组件包括支撑板和光源件，支撑板上安装有滤波器，光源件设置于支撑板上；安装组件包括导轨和壳体，导轨与壳体连接，第一平台设置于导轨上，支撑板可拆卸连接于壳体上。通过上述装置对半导体光电器件性能进行快速测量，提高了测试效率。
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