公开(公告)号：CN116130553B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202211677074.X

申请日：2022-12-26

Applicant: 兰州大学

Inventor： 汤亮亮 ,  唐伊丽 ,  邵剑雄 ,  刘永辉 ,  袁承洋 ,  吕晓宇 ,  李嘉鹏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的GaSb异质结红外光电转换器件及其制备方法，所述GaSb红外光电转换器件的结构包括：本征未掺杂的P型锑化镓衬底、一个发射极主栅以及多个正面接触细栅线、与半导体背面接触的背电极以及与P型锑化镓形成PN结的电子传输层。本发明所述制备方法，能够有效简化工艺步骤，避免使用套刻工艺与多次剥离‑浮脱工艺，缩短设计周期，减少材料以及时间成本；降低红外转换器暗电流，由于可以达到对电子传输层以及电极厚度以及结构形状的精确控制，使得所生产的红外光电转换器件的电学性能能够保持稳定，重复性好，并且此种载流子输运过程阻力更小的电极，可以有效提高电池的输出功率密度。

公开(公告)号：CN116130553A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211677074.X

申请日：2022-12-26

Applicant: 兰州大学

Inventor： 汤亮亮 ,  唐伊丽 ,  邵剑雄 ,  刘永辉 ,  袁承洋 ,  吕晓宇 ,  李嘉鹏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的GaSb异质结红外光电转换器件及其制备方法，所述GaSb红外光电转换器件的结构包括：本征未掺杂的P型锑化镓衬底、一个发射极主栅以及多个正面接触细栅线、与半导体背面接触的背电极以及与P型锑化镓形成PN结的电子传输层。本发明所述制备方法，能够有效简化工艺步骤，避免使用套刻工艺与多次剥离‑浮脱工艺，缩短设计周期，减少材料以及时间成本；降低红外转换器暗电流，由于可以达到对电子传输层以及电极厚度以及结构形状的精确控制，使得所生产的红外光电转换器件的电学性能能够保持稳定，重复性好，并且此种载流子输运过程阻力更小的新型电极，可以有效提高电池的输出功率密度。