公开(公告)号：CN103875061B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280050352.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  大久保裕司 ,  佐佐木拓也 ,  荒木亮 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。

公开(公告)号：CN103875061A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050352.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  大久保裕司 ,  佐佐木拓也 ,  荒木亮 ,  能登宣彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。