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公开(公告)号：CN116249802A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067920.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆。由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN111575783A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010096773.X
申请日：2020-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗孔，其特征在于，还具备帽，其安装于所述内筒的上端，并与所述窗玻璃的上缘部接触，所述窗玻璃的下缘部及与其接触的所述内筒的缘部都具有所述窗玻璃为外侧的锥面形状，且所述窗玻璃利用所述帽的自重而能够沿着所述窗玻璃的下缘部和与其接触的所述内筒的缘部的接触面滑动，从而在安装有所述帽的状态下使所述窗玻璃与所述外筒的内表面紧密接触。
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公开(公告)号：CN111575783B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010096773.X
申请日：2020-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗孔，其特征在于，还具备帽，其安装于所述内筒的上端，并与所述窗玻璃的上缘部接触，所述窗玻璃的下缘部及与其接触的所述内筒的缘部都具有所述窗玻璃为外侧的锥面形状，且所述窗玻璃利用所述帽的自重而能够沿着所述窗玻璃的下缘部和与其接触的所述内筒的缘部的接触面滑动，从而在安装有所述帽的状态下使所述窗玻璃与所述外筒的内表面紧密接触。
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公开(公告)号：CN105531406A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050778.1
申请日：2014-09-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种单晶硅提拉装置，其是具备坩埚、主腔室及屏蔽罩并基于切克劳斯基法的单晶硅提拉装置，所述坩埚收容原料；所述主腔室收纳有加热该原料从而形成原料熔液的加热器；所述屏蔽罩配置在所述加热器与所述主腔室之间，来隔绝来自所述加热器的辐射热，所述单晶硅提拉装置的特征在于，具有从下方支撑所述加热器及所述屏蔽罩的支撑部件，所述支撑部件可升降，由此所述加热器和所述屏蔽罩可一起升降。由此，提供一种单晶硅提拉装置，其能够在调节热历程的同时，使提高单晶硅的提拉速度和降低氧浓度变得容易。
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