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公开(公告)号：CN116249802A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067920.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆。由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
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