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公开(公告)号：CN113692651A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN113692651B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586354A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380049901.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10H20/819 , H01L21/02 , H10H20/82 , H10H20/01
Abstract: 本发明是一种接合型发光元件晶圆，其是具有包含活性层的外延层的发光元件用外延片与透明基板隔着粘合层进行接合的接合型发光元件晶圆，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，其中，内置于所述外延层中的刺状夹杂物从该外延层突出的高度为所述粘合层的厚度以下。由此，提供一种接合型发光元件晶圆，其是将存在刺状夹杂物的外延片隔着粘合层与透明基板接合而成，所述粘合层为可见光透射性且为紫外光不透射性，所述透明基板为可见光透射性且为紫外光透射性，其中，因刺状夹杂物而产生的不良部分的范围较狭窄。
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公开(公告)号：CN117321732A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035568.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合基板中去除，制成第二化合物半导体接合基板的工序；(4)将所述第二化合物半导体接合基板的去除了所述起始基板的面正式接合于永久基板，制成第三化合物半导体接合基板的工序；及(5)将所述支撑基板从所述第三化合物半导体接合基板中去除，制成第四化合物半导体接合基板的工序；其中，暂时接合通过热固性树脂而进行，且不使该热固性树脂固化而使其保持软化状态，并且，正式接合通过硅氧化膜或硅氮化膜而进行。由此，提供一种提高了器件或器件系统设计上的自由度的化合物半导体接合基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN116779429A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310217186.5
申请日：2023-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使用具备起始基板与外延层的外延晶圆作为所述外延晶圆，所述起始基板具有第一面及与所述第一面相反一侧的第二面，所述外延层形成在所述起始基板的所述第一面上且含有磷，将在外延生长过程中绕至所述外延晶圆的所述起始基板的所述第二面而于该面析出的析出物后，进行所述苯并环丁烯的热固化。
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公开(公告)号：CN120019472A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072090.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/52 , H10H20/01
Abstract: 本发明为一种接合晶圆的接合不良部的去除方法，其为去除接合晶圆的接合不良部的方法，该接合晶圆具有具备由(AlyGa1‑y)xIn1‑xP(0.4≤x≤0.6，0≤y≤0.5)构成的活性层的发光元件构造，且通过将热固化型接合构件固化从而将发光元件构造接合在透射发光波长的光的透明基板上，其特征在于，通过将所述接合晶圆导入至等离子体气氛下，选择性破坏热固化型接合构件固化不充分的所述接合不良部，从而将其去除。由此，提供一种接合晶圆的接合不良部的去除方法，其对于接合晶圆中的固化不良部，无需利用测定等手段即可将其去除，该接合晶圆经由热固化型接合构件将具有AlGaInP系的活性层的发光元件构造与透明基板接合。
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公开(公告)号：CN117581333A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045817.3
申请日：2022-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为一种接合型晶圆，其为外延晶圆与支撑基板通过接合材料而接合的接合型晶圆，该外延晶圆为不同热膨胀系数的材料通过外延生长层叠在生长基板上的具有异质接合结构的外延晶圆，该接合型晶圆的特征在于，所述接合材料的平均厚度为0.01μm以上且0.6μm以下。由此，提供一种在用热固化型接合材料将具有翘曲的半导体外延基板与支撑基板接合时，能够改善由半导体外延基板的翘曲和随着热变化而发生变化的翘曲引起的接合材料的膜厚分布的接合型晶圆及其制造方法。
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