公开(公告)号：CN101326618B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680046218.4

申请日：2006-11-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大石弘 ,  小林健司

IPC: H01L21/304 ,  B24B41/06 ,  B24B7/17

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B7/228 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明是一种静压垫，是在半导体晶片的两头研磨装置中，通过供给至原料晶片的两表面的流体的静压，将前述原料晶片以该两表面作非接触支持的静压垫，该静压垫的堤部也就是纹间表面的图案，是用来包围已经被形成于该静压垫的用以支持原料晶片侧的表面上的槽，其用以支持前述原料晶片的必要的外周的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈同心圆状，其位于比该外周的纹间表面图案更内侧的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈非同心圆状，且关于将前述静压垫二等分的全部的直线，成为非对称。由此，可以提供一种半导体晶片的两头研磨装置及两头研磨方法，能够将两头研磨后的晶片的纳米形貌平均所得到平均值成分的“中间环”，使其最小化。

公开(公告)号：CN101326618A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046218.4

申请日：2006-11-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大石弘 ,  小林健司

IPC: H01L21/304 ,  B24B41/06 ,  B24B7/17

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B7/228 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明是一种静压垫，是在半导体晶片的两头研磨装置中，通过供给至原料晶片的两表面的流体的静压，将前述原料晶片以该两表面作非接触支持的静压垫，该静压垫的堤部也就是纹间表面的图案，是用来包围已经被形成于该静压垫的用以支持原料晶片侧的表面上的槽，其用以支持前述原料晶片的必要的外周的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈同心圆状，其位于比该外周的纹间表面图案更内侧的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈非同心圆状，且关于将前述静压垫二等分的全部的直线，成为非对称。由此，可以提供一种半导体晶片的两头研磨装置及两头研磨方法，能够将两头研磨后的晶片的纳米形貌平均所得到平均值成分的“中间环”，使其最小化。