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公开(公告)号：CN111575783A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010096773.X
申请日：2020-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗孔，其特征在于，还具备帽，其安装于所述内筒的上端，并与所述窗玻璃的上缘部接触，所述窗玻璃的下缘部及与其接触的所述内筒的缘部都具有所述窗玻璃为外侧的锥面形状，且所述窗玻璃利用所述帽的自重而能够沿着所述窗玻璃的下缘部和与其接触的所述内筒的缘部的接触面滑动，从而在安装有所述帽的状态下使所述窗玻璃与所述外筒的内表面紧密接触。
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公开(公告)号：CN116507761A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079826.X
申请日：2021-10-11
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/26
Abstract: 本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。由此，能够提供一种可以高精度地测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法。
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公开(公告)号：CN111575783B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010096773.X
申请日：2020-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗孔，其特征在于，还具备帽，其安装于所述内筒的上端，并与所述窗玻璃的上缘部接触，所述窗玻璃的下缘部及与其接触的所述内筒的缘部都具有所述窗玻璃为外侧的锥面形状，且所述窗玻璃利用所述帽的自重而能够沿着所述窗玻璃的下缘部和与其接触的所述内筒的缘部的接触面滑动，从而在安装有所述帽的状态下使所述窗玻璃与所述外筒的内表面紧密接触。
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