公开(公告)号：CN100346926C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN01800519.5

申请日：2001-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  三浦仲寿 ,  关根靖弘 ,  铃木诚 ,  冨井和弥

IPC: B24B9/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B51/00 ,  B24D5/14 ,  B24D9/04

Abstract: 在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中，为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率，采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序，以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度，并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸，小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸，使抛光度得以改变。

公开(公告)号：CN1364107A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800519.5

申请日：2001-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  三浦仲寿 ,  关根靖弘 ,  铃木诚 ,  冨井和弥

IPC: B24B9/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B51/00 ,  B24D5/14 ,  B24D9/04

Abstract: 在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中,为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率,采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序,以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度,并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸,小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸,使抛光度得以改变。