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公开(公告)号：CN104451868B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
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公开(公告)号：CN104451868A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
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公开(公告)号：CN109659225B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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公开(公告)号：CN108400157B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
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公开(公告)号：CN107130293A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102041551A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010226110.1
申请日：2010-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B29/16 , C30B29/36 , C30B33/08
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
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公开(公告)号：CN119816630A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063739.4
申请日：2023-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，其具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层膜或层叠膜构成的中间层的工序，使用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板的制造方法，该高品质的单晶金刚石层能够适用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。
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公开(公告)号：CN118234889A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074162.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种衬底基板的制造方法，其为用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板的制造方法，所述制造方法的特征在于，具有：准备初始基板的工序；及在所述初始基板上形成由至少包含单晶Ir膜或单晶MgO膜的单层或层叠膜构成的中间层的工序，所述制造方法中，采用雾化CVD法形成构成所述中间层的单晶Ir膜或单晶MgO膜。由此，可提供一种衬底基板的制造方法，其能够使适合于电气·磁力设备，具有大面积(大口径)、高结晶性且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等较少、高纯度且低应力的高品质的单晶金刚石层制膜。
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公开(公告)号：CN107130293B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
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公开(公告)号：CN109659225A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811126804.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K101/42
Abstract: 本发明的课题在于提供能够容易地获得厚度薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。本发明的基板制造方法进行第1工序：在氧化镁单晶基板的被照射面上非接触地配置将激光聚光的激光聚光设备。然后进行第2工序：从氧化镁单晶基板的被照射面侧产生面状剥离。在该第2工序中，在预定照射条件下对单晶基板的表面照射激光，在将激光聚光于单晶基板内部的同时使激光聚光设备与单晶基板二维状地相对地移动，从而并列地形成将由热加工得到的加工痕迹在单晶构件内部形成为一列而成的加工痕迹列。此时，在加工痕迹列的至少一部分形成加工痕迹彼此产生重叠的重叠列部，从而从被照射面侧产生面状剥离。
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