氧化物单晶的制造方法及制造装置

    公开(公告)号:CN119156469A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202380038509.2

    申请日:2023-05-01

    Abstract: 本发明的氧化物单晶的制造方法的特征在于,包括:第一工序,加热坩埚(6)内的单晶用原料(8)使得将一部分单晶用原料(8)熔体化;第二工序,加热单晶用原料(8)使得将全部单晶用原料(8)熔体化,从而制作原料熔体(8),并使晶种(2)与原料熔体(8)的液面接触;第三工序,在一边测定晶种棒(3)的重量一边提拉晶种棒(3)的同时,以使得从晶种(2)生长的单晶的单晶提拉重量速度为规定值的方式调整加热源(7)的输出功率,从晶种形成单晶的颈部、锥部和直体部,并将已形成直体部的单晶与液面分离;以及第四工序,以加热源(7)的预先规定的输出功率将与液面分离的单晶缓慢冷却;并自动运转第一~第四工序。本发明的氧化物单晶的制造装置是可自动运转上述第一~第四工序的制造装置。根据本发明,可提供减轻操作者负担,消除操作者的失误,进而导致氧化物单晶的成品率提高的氧化物单晶的制造方法及氧化物单晶的制造装置。

    高效率太阳能电池及高效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN110073499A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201680090769.4

    申请日:2016-11-15

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,其特征在于具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此,可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。

    单晶培养装置
    3.
    发明公开
    单晶培养装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN112609237A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011059877.X

    申请日:2020-09-30

    Abstract: 课题在于提供可降低单晶的温度梯度的同时防止杂质混入导致的单晶的成品率的急剧变差的单晶培养装置。本发明的单晶培养装置90通过提拉法由坩埚1内的原料的熔融液12培养单晶13,其具备:覆盖坩埚1的上方的空间16的上部耐火材料容器10b、覆盖上部耐火材料容器10b的外周的绝热保温结构14和覆盖绝热保温结构14的外周的绝缘性陶瓷材料15。

    高效率太阳能电池及高效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN110073499B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN201680090769.4

    申请日:2016-11-15

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,其特征在于具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此,可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。

    高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN109891599B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN201680090321.2

    申请日:2016-10-25

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,在有第一导电型的半导体基板的第一主表面,具有有前述第一导电型的基极层,及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层,且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池,其特征在于,在前述第一主表面上,具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜;具有被配置成覆盖前述射极电极,而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜;具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极;前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是,W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此,可以抑制绝缘材料的消耗,而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好,同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微,且使太阳能电池特性提升。

    单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN112746323A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011188769.2

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本发明提供能够以良好的成品率制造结晶性优异的单晶锭的单晶锭的制造方法、和能够制造器件特性优异的晶片的单晶晶片的制造方法。本发明的单晶锭的制造方法包括:准备第一单晶锭的步骤;从第一单晶锭切出评价用基板102和晶种用锭103,在晶种用锭上形成投影面104的步骤;对评价用基板102测定局部音速,在评价用基板上的测定的音速的测定值为规定范围内的位置配置正常点105的步骤;在投影面上配置正常点105的映射107的步骤;从晶种用锭切出包含通过正常点105的映射107且与晶体生长轴平行的直线的晶体片109的步骤;和将晶体片109用作晶种制作第二单晶锭的步骤。本发明的单晶晶片的制造方法包括将通过本发明的单晶锭的制造方法制造的第二单晶锭切片制作单晶晶片的步骤。

    高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN109891599A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201680090321.2

    申请日:2016-10-25

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,在有第一导电型的半导体基板的第一主表面,具有有前述第一导电型的基极层,及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层,且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池,其特征在于,在前述第一主表面上,具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜;具有被配置成覆盖前述射极电极,而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜;具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极;前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是,W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此,可以抑制绝缘材料的消耗,而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好,同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微,且使太阳能电池特性提升。

    太阳能电池
    10.
    外观设计

    公开(公告)号:CN303854420S

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201630047509.1

    申请日:2016-02-19

    Abstract: 1、本外观设计产品的名称:太阳能电池。2、本外观设计产品的用途:本外观设计产品作为太阳能电池来使用。3、本外观设计产品的设计要点:在于如图所示的形状等。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:设计1A部放大参考图。5、指定基本设计:设计1。6、在设计1主视参考图、设计2主视参考图、设计3主视参考图以及设计4主视参考图中,2表示太阳能电池的受光面的相反侧的面,3表示指状电极,5表示绝缘膜,6表示总线电极,在设计1使用状态立体参考图、设计2使用状态立体参考图、设计3使用状态立体参考图以及设计4使用状态立体参考图中,4表示引线。7、设计1A部放大参考图中用阴影线表示的部分,即设计1的绝缘膜5采用透明材质,设计3A部放大参考图中用阴影线表示的部分,即设计3的绝缘膜5采用透明材质。

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