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公开(公告)号：CN103809369A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310724734.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN1900819B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN100593755C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1900819A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm－1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN103809369B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310724734.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN102654730B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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公开(公告)号：CN102654730A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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公开(公告)号：CN1862377A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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