公开(公告)号：CN102844134B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180018036.7

申请日：2011-04-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森本敏夫 ,  高桥辰也 ,  安东勋雄 ,  小向哲史 ,  高木正德 ,  佐藤惠理子 ,  南浩尚

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。

公开(公告)号：CN102844134A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018036.7

申请日：2011-04-07

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森本敏夫 ,  高桥辰也 ,  安东勋雄 ,  小向哲史 ,  高木正德 ,  佐藤惠理子 ,  南浩尚

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/02 ,  B22F3/14 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够容易地制造高品质Cu－Ga合金粉末的Cu－Ga合金粉末的制造方法和Cu－Ga合金粉末、以及Cu－Ga合金溅射靶的制造方法和Cu－Ga合金溅射靶。本发明将以85：15～55：45的质量比配合Cu粉末和Ga而成的混合粉末，在非活性气体环境中以30～700℃的温度加以搅拌而进行合金化，从而获得Cu－Ga合金粉末。另外，通过对该Cu－Ga合金粉末加以成型并进行烧结，获得Cu－Ga合金溅射靶。