金刚石光磁传感器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117099008A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202280025980.3

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明的金刚石光磁传感器(100)包含:金刚石(102),其具有带电子自旋的色心;传输电路(106),其传输电磁波;以及照射部,其将由传输电路(106)传输的电磁波照射到金刚石(102),传输电路(106)包含阻抗转换器(108),该阻抗转换器(108)用于使输出电磁波的电磁波源(110)的阻抗从照射部观察时变低或变高,照射部包含谐振器(104)。

    单晶金刚石及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116981802A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202280020425.1

    申请日:2022-03-30

    Abstract: 一种单晶金刚石,其中,X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下,所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定:在基于双晶法的X射线衍射中,第一晶体使用金刚石晶体,(004)面平行配置,通过CuKα射线进行测定,拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下,蚀坑密度为10000个/cm2以下,所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定,氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。

    单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

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