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公开(公告)号：CN107109691B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号：CN108474136B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201780007532.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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公开(公告)号：CN107848002B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201680043048.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
Abstract: 一种金刚石拉丝模，其包括设置有用于拉拔丝材的孔的金刚石，所述金刚石是CVD单晶金刚石，所述孔的轴相对于所述金刚石的晶面的法线方向倾斜。
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公开(公告)号：CN107848002A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043048.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社 , 联合材料公司
Abstract: 一种金刚石拉丝模，其包括设置有用于拉拔丝材的孔的金刚石，所述金刚石是CVD单晶金刚石，所述孔的轴相对于所述金刚石的晶面的法线方向倾斜。
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公开(公告)号：CN104603335A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201480002248.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
Abstract: 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508191A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201480001980.5
申请日：2014-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 一种单晶金刚石(10)具有表面(10a)。在所述单晶金刚石(10)中，在所述表面(10a)中限定有测定区域(20)，测定区域(20)包含显示单晶金刚石(10)中最高透光率的部分和显示单晶金刚石(10)中最低透光率的部分，测定区域(20)具有连续排列且各自具有长度为0.2mm的边的多个正方形区域(20a)，且对所述多个正方形区域(20a)中的每个正方形区域中的透光率的平均值进行测定，其中假设将在一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T1，且将在与所述一个正方形区域(20a)相邻的另一个正方形区域(20a)中的透光率的平均值定义为T2，在整个所述测定区域满足((T1-T2)/((T1+T2)/2)×100)/0.2≤20(％/mm)的关系。
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公开(公告)号：CN103752220A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010174.6
申请日：2009-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C01B31/06 , B26F3/004 , B82Y30/00 , C01B32/25 , C03B33/107 , C04B35/528 , C04B35/645 , C04B2235/425 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5481 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , Y10T428/218 , Y10T428/268
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能用于多种用途的多晶金刚石，以及包含该多晶金刚石的水射流喷嘴、凹版印刷用刻针工具、刻图仪工具、金刚石切削工具和划线轮。本发明的这一目的是通过这样一种多晶金刚石来实现的，该多晶金刚石是在不需要加入烧结助剂或催化剂的条件下、通过在超高压和高温下对非金刚石碳进行转化和烧结而获得的一种多晶金刚石。该多晶金刚石的特征在于构成所述多晶金刚石的金刚石烧结颗粒的平均粒径大于50nm且小于2500nm，并且金刚石的纯度大于或等于99%，以及该金刚石的D90粒径小于或等于[（平均粒径+0.9×平均粒径）]。
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公开(公告)号：CN101679041B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980000366.6
申请日：2009-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C01B31/06 , B26F3/004 , B82Y30/00 , C01B32/25 , C03B33/107 , C04B35/528 , C04B35/645 , C04B2235/425 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5481 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , Y10T428/218 , Y10T428/268
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能用于多种用途的多晶金刚石，以及包含该多晶金刚石的水射流喷嘴、凹版印刷用刻针工具、刻图仪工具、金刚石切削工具和划线轮。本发明的这一目的是通过这样一种多晶金刚石来实现的，该多晶金刚石是在不需要加入烧结助剂或催化剂的条件下、通过在超高压和高温下对非金刚石碳进行转化和烧结而获得的一种多晶金刚石。该多晶金刚石的特征在于构成所述多晶金刚石的金刚石烧结颗粒的平均粒径大于50nm且小于2500nm，并且金刚石的纯度大于或等于99％，以及该金刚石的D90粒径小于或等于[(平均粒径+0.9×平均粒径)]。
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公开(公告)号：CN108474136A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780007532.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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公开(公告)号：CN104603335B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201480002248.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
Abstract: 单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均值的最大值为30nm以上。
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