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公开(公告)号：CN102612758B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180004431.X
申请日：2011-05-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/1844
Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。
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公开(公告)号：CN102265411A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152161.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L31/105 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，且在所述吸收层中所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下。
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公开(公告)号：CN103843158B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380003240.0
申请日：2013-05-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/205 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/18 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L27/1446 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/103 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3‑12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。
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公开(公告)号：CN102959736B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN102782879A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012717.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L29/15 , H01L31/105 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光接收元件等，其中能够在II型多量子阱（MQW）结构中防止短波长侧的响应度降低，同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于，该光接收元件设置有II型MQW的光接收层（3），具有像素P，并位于衬底1上，该光接收层（3）形成在由III-V族化合物半导体构成的衬底（1）上，MQW结构包括50对以上的两个不同的III-V族化合物半导体层（3a、3b）。在该成对的两个不同的III-V族化合物半导体层中，具有较高的价带势能的层（3a）的厚度比另一个层（3b）的厚度薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265138A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152617.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01J5/602 , G01J5/0044 , G01J2005/0077 , G01N21/3504 , G01N21/359 , G01N2021/3531 , G01N2201/0833 , G01N2201/0846 , H01L31/035209 , H01L31/1035 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种气体监测装置，所述气体监测装置能够在没有冷却机构的情况下减小暗电流并且能够使用具有的光接收敏感性扩展到不小于1.8μm波长的InP基光电二极管以以高敏感性来监测气体。该气体监测装置的特征在于，该气体监测装置包括光接收层(3)，其具有由III-V族半导体的多量子阱结构；pn结(15)，其通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素来形成，该光接收层中的杂质浓度不大于5×1016/cm3，以及该气体监测装置接收具有不大于3μm的至少一个波长的光以检测气体中所包含的气体成分等。
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公开(公告)号：CN102265138B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980152617.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N21/3504 , G01N21/359 , G01J1/02 , G01J5/28 , H01L31/10
CPC classification number: G01J5/602 , G01J5/0044 , G01J2005/0077 , G01N21/3504 , G01N21/359 , G01N2021/3531 , G01N2201/0833 , G01N2201/0846 , H01L31/035209 , H01L31/1035 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种气体监测装置，所述气体监测装置能够在没有冷却机构的情况下减小暗电流并且能够使用具有的光接收敏感性扩展到不小于1.8μm波长的InP基光电二极管以以高敏感性来监测气体。该气体监测装置的特征在于，该气体监测装置包括光接收层（3），其具有由III-V族半导体的多量子阱结构；pn结（15），其通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素来形成，该光接收层中的杂质浓度不大于5×1016/cm3，以及该气体监测装置接收具有不大于3μm的至少一个波长的光以检测气体中所包含的气体成分等。
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公开(公告)号：CN102265411B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980152161.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L31/105 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，将由III-V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III-V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III-V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低至5×1016/cm3以下。
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公开(公告)号：CN102959736A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN103843158A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201380003240.0
申请日：2013-05-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/205 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/18 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L27/1446 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/103 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。
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