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公开(公告)号：CN1613274A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03801911.6
申请日：2003-03-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 提供了一种用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过控制基座形状——特别是正常温度下外径沿着厚度——的波动，提高了在加热操作过程中晶片表面的温度均匀性。这种用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)，在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部有电阻加热元件(3)。不加热时陶瓷基座沿厚度的最大外径和最小外径之差为沿晶片载面的平均直径的0.8％或更小。陶瓷基座(1)还可在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部安排等离子体电极。陶瓷基片(2a)、(2b)优选由至少一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷制造。
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公开(公告)号：CN1610961A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN03801837.3
申请日：2003-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 一种配置有连接到固定器陶瓷基座的多个固定管状件和/或固定支撑件的晶片固定器，其中可以防止在加热操作期间由于热应力对固定管状件的损坏，并利用此晶片固定器制作获得高可靠性的半导体制作设备。至少两个固定管状件(5)和/或固定支撑件的一端连接到陶瓷基座(2)，而另一端连接进反应室(4)，其中假设陶瓷基座(2)达到的最高温度为T1，陶瓷基座(2)的热膨胀系数为α1，反应室(4)达到的最高温度为T2，反应室(4)的热膨胀系数为α2，在常温下在多个固定管状件(5)中的陶瓷基座(2)上的最长件间距离为L1，而在常温下在多个固定管状件(5)和/或固定支撑件中的反应室(4)上的最长件间距离为L2，则满足关系式|(T1×α1×L1)－(T2×α2×L2)|≤0.7mm。
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公开(公告)号：CN1579007A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801379.7
申请日：2003-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/027 , H05B3/74 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。
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公开(公告)号：CN100346462C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03107447.2
申请日：2003-03-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/00
Abstract: 提供一种不昂贵的具有高的可靠性的工件固定器和一种设有工件固定器的加工设备，其能防止由空气中的氧所引起的损坏。固定器包括：陶瓷体，其具有电极和加热器电路并能够固定工件；管形件，其具有连接至陶瓷体的末端部分；密封件，其放在管形件的内部并将管形件的内部空间分成两个区域：在第一末端部分的区域(“密封部分”)和在相对侧的区域(“相对区域”)；和电源导电元件，其从相对区域侧，穿过密封件至密封区域侧，并与电极和加热器电路电气连接。
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公开(公告)号：CN100339951C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03801379.7
申请日：2003-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/027 , H05B3/74 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于制备半导体的加热装置，其可以均匀地加热待处理的晶片或其它材料，并且具体而言，提供一种用于在涂布机显影装置中热硬化光刻法用树脂薄膜和用于热煅烧低介电常数绝缘薄膜的加热装置，该装置包含：在其中嵌有电阻加热元件(2)的陶瓷支架(1)，其支持和加热处理材料如晶片(6)，支撑所述的陶瓷支架(1)的筒状支撑构件(4)，和容纳支架(1)和支撑构件(4)的室(5)，其中筒状支撑构件(4)的气氛与室(5)中的气氛通过消除由陶瓷支架(1)的气密密封或通过控制气体的吸入与排出而相互保持基本相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1225342C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03122977.8
申请日：2003-04-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K31/00
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143 , H05B3/265
Abstract: 一种陶瓷基座，其固定晶片面具有很好的等温性，适用于半导体装置和液晶装置。在盘状烧结体1中，设置电阻加热元件2。烧结陶瓷体外边界1a和电阻加热区域外边界2a之间的拉伸距离L的变化范围为±0.8%，固定晶片面的整个表面的额定等温线变化范围在±1.0%左右，并且当所述的L控制在±0.5%时，额定等温线控制在±0.5%。
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公开(公告)号：CN1613275A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03801916.7
申请日：2003-03-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 制造了有效的用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过电阻加热元件线路间距离的最优化，预防了由于加热操作过程中电阻加热元件线路间短路造成的损坏，同时维持了晶片表面温度的均匀性。用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)在其陶瓷基片(2)的表面或内部具有电阻加热元件(3a)，电阻加热元件(3a)截面上由电阻加热元件(3a)的底部和侧面形成的最小角θ为5°或更大。等离子体电极可安排在陶瓷基座(1)中陶瓷基片(2a)的表面或内部。优选陶瓷基片(2a)由选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅中的至少一种制成。
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公开(公告)号：CN1593073A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801539.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05B3/20 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/02
Abstract: 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。
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公开(公告)号：CN100486933C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN02801227.5
申请日：2002-04-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , B32B2309/022 , B32B2315/02 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B37/005 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/96 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , Y10T279/23
Abstract: 提供一种基片支承构造体，所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度，在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体(1)包括：支承基片用的陶瓷基体(2)，其具有电路(4、5、6)；与所述陶瓷基体(2)的所述电路(4、5、6)连接的供电用导电构件(13a～13d)；接合在陶瓷基体(2)上并且包围所述供电用导电构件(13a～13d)的保护筒体(7)；位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8)，其氦漏气率小于1.0×10-8Pa·m3/S。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下、氮化铝质量2%以上质量50%以下。该接合层(8)包含通过使所述氮化铝溶解再析出现象析出形成的氮化铝粒子，在接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。
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公开(公告)号：CN1241237C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03800369.4
申请日：2003-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68792 , C23C16/4409 , C23C16/458 , C23C16/4583 , H01L21/67103
Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器9中备有，其内部埋设有阻抗发热体3的陶瓷保持体1、一端2a支持陶瓷保持体1而另一端2b被固定在反应容器9上的筒状支持部件2；筒状支持部件2的一端2a与陶瓷保持体1之间气密性结合，同时另一端2b侧在内部被隔板6和密封材料7气密密封。这种半导体或液晶制造装置，优选使筒状保持体2内的被陶瓷保持体1和隔板6划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中，筒状支持部件容易进行气密密封，能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子4被腐蚀和氧化，而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。
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