横向结型场效应晶体管
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100370626C

    公开(公告)日:2008-02-20

    申请号:CN200410075244.2

    申请日:2000-12-06

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/1608 H01L29/808 H01L29/8083

    Abstract: 一种SiC制的横向JFET,它使用n型SiC衬底,包括具有迁移率高的载流子的沟道区,成品率高。该横向JFET包括:n型SiC衬底(1n);p型SiC膜(2),被形成在n型SiC衬底的正面上;n型SiC膜(3),被形成在p型SiC膜上,包含沟道区(11);源区、漏区(22,23),被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧;以及栅极(14),与n型SiC衬底相接来设置。

    横向结型场效应晶体管
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1577896A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410075244.2

    申请日:2000-12-06

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/1608 H01L29/808 H01L29/8083

    Abstract: 一种SiC制的横向JFET,它使用n型SiC衬底,包括具有迁移率高的载流子的沟道区,成品率高。该横向JFET包括:n型SiC衬底(1n);p型SiC膜(2),被形成在n型SiC衬底的正面上;n型SiC膜(3),被形成在p型SiC膜上,包含沟道区(11);源区、漏区(22,23),被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧;以及栅极(14),与n型SiC衬底相接来设置。

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