公开(公告)号：CN102034853A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010232961.7

申请日：2010-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山口小百合 ,  松本直树 ,  三上英则

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  Y10T83/04

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体衬底、半导体器件及其制造方法。该氮化物半导体衬底具有用作半极性面的主表面并且设置有倒角部分，该倒角部分能够有效防止破裂和碎裂。该氮化物半导体衬底具有：主表面，所述主表面相对于(0001)面向着[1-100]方向以71°或更大并且79°或更小的角度倾斜，或者相对于(000-1)面向着[-1100]方向以71°或更大并且79°或更小的角度倾斜；以及倒角部分，所述倒角部分位于所述主表面的外围的边缘处。所述倒角部分相对于所述主表面和与所述主表面相反的一侧上的背侧表面中相邻的一个以5°或更大并且45°或更小的角度θ1或θ2倾斜。因此，可以有效抑制从氮化物半导体衬底的外围边缘出现破裂和碎裂。