公开(公告)号：CN103608907B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280026102.X

申请日：2012-05-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 金森直哉 ,  原田隆博 ,  青木千晶 ,  村山龙一

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据本发明，提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（2）；半导体元件（3）；和介于基材（2）与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。该半导体装置10），在粘接层（1）中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层（1）中的金属颗粒的体积含有率设为a，并将粘接层（1）中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时，粘接层（1）中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，填料中的金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。

公开(公告)号：CN103608907A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280026102.X

申请日：2012-05-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 金森直哉 ,  原田隆博 ,  青木千晶 ,  村山龙一

IPC: H01L21/52 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49513 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/295 ,  H01B1/22 ,  H01L2224/83855

Abstract: 根据本发明，提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（2）；半导体元件（3）；和介于基材（2）与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。该半导体装置（10），在粘接层（1）中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层（1）中的金属颗粒的体积含有率设为a，并将粘接层（1）中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时，粘接层（1）中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，填料中的金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。