公开(公告)号：CN103229309B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280003826.2

申请日：2012-03-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 久保新太郎 ,  菊池通真 ,  浅尾英章 ,  牛尾绅之介

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I?III?VI族化合物，并且I?B族元素相对于III?B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。

公开(公告)号：CN103229309A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201280003826.2

申请日：2012-03-15

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 久保新太郎 ,  菊池通真 ,  浅尾英章 ,  牛尾绅之介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。