公开(公告)号：CN102652367B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN102652367A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。