公开(公告)号：CN103430319B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280014467.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  小野寺诚 ,  井藤刚 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103430319A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014467.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  小野寺诚 ,  井藤刚 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。