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公开(公告)号：CN116819689B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311107072.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器、光栅耦合反馈控制系统及其控制方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的金属反射层、形成于金属反射层上的第一氧化层、形成于第一氧化层上的光栅、形成于光栅上的第二氧化层、以及形成于第二氧化层上的扭转向列液晶透镜，扭转向列液晶透镜包括扭转向列液晶层及位于扭转向列液晶层相对两侧的电极，其中，通过在扭转向列液晶层相对两侧的电极上施加不同的外部电压，使扭转向列液晶层中的液晶分子重新排列，旋光性消逝，进而用于调节通过光纤入射至光栅耦合器的入射光的偏振态。本申请能够方便地调节入射光的偏振态。
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公开(公告)号：CN116643354A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310931917.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种模斑转换器的设计方法。该设计方法包括：构建模斑转换器的轮廓函数；基于模斑转换器的轮廓函数来建立模斑转换器的模型；在模斑转换器的第一侧和第二侧分别连接输入波导和输出波导，其中，输入波导的宽度大于输出波导的宽度；在输入波导处设有模式光源，用于发出预定输入功率的光；在输出波导处设有功率监视器，用于监测输出波导的输出功率；以模斑转换器的传输效率为优化目标，通过仿真优化方法来对轮廓函数中的各项参数不断地进行迭代优化以最终得到各项参数的最优解，模斑转换器的传输效率等于输出功率与输入功率的比值；及将得到的各项参数的最优解代入到轮廓函数中以设计得到模斑转换器。因此可缩短模斑转换器的长度。
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公开(公告)号：CN115993092A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211406471.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学测量仪器及其实时自动校准系统，该光学测量仪器的转换接头与套管之间固定有第一透镜，反射镜通过压力片固定，物镜通过物镜转换接口固定在棱镜装载体上，分光棱镜安装在棱镜装载体上，第二透镜安装在第一套筒和第二套筒之间，圆柱转接块采用螺丝挤压安装在第一套筒的第一螺纹孔处，柱镜固定在圆柱转接块的槽体上，滑动套筒通过紧配合安装在第二套筒上，四象限探测器通过滑动套筒设置的第二螺纹孔安装在滑动套筒上。本发明结构简单、成本低、集成度好并且精度较高；同时为光交换芯片的光封装过程中光纤阵列的微小偏移提供了检测系统，有助于实时复位光纤阵列保持光纤阵列与芯片之间耦合稳定，工作损耗稳定保持最小值。
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公开(公告)号：CN115437061B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211387833.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备。该光栅耦合器包括：波导层以及埋氧层，埋氧层设置在波导层下方，埋氧层中设置有第一反射装置，波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，第二波导中设置有第二反射装置；第一波导用于引导目标光线射入光栅，第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线反射给光栅，第二反射装置用于将透过光栅的光线反射给光栅，光栅用于将目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN116643350B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310931892.6
申请日：2023-07-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请涉及一种端面耦合器及光芯片系统。其中，端面耦合器包括：耦合波导。所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合。所述耦合波导包括至少两段耦合段。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向。沿所述第一方向，所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同。所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。根据本申请实施例，可以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。
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公开(公告)号：CN115657226B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211328327.2
申请日：2022-10-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法，包括：在基片表面固定芯片，芯片端口包括光栅耦合器和电学焊盘；在基片上表面形成衬底层，对衬底层进行抛光至芯片上表面漏出，沉积下包层，在下包层上沉积芯层；在芯层上刻蚀光波导阵列和扇出端光学端口；在光波导阵列、扇出端光学端口和未沉积芯层的下包层上表面沉积上包层，利用灰度工艺从上包层表面挖出斜面，利用刻蚀工艺在上包层上挖出直通孔，使得电学焊盘上表面露出；然后在上包层表面和电学焊盘上表面沉积金属层；对所述金属层表面进行抛光、刻蚀得到电学重布线层。本发明还公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法制备得到的硅基光交换芯片光电扇出结构。
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公开(公告)号：CN116153858A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211523539.6
申请日：2022-12-01
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种多层交叉结构的硅转接板的制备方法，通过进行硅基表面分步制作大规模的金属走线及其凸点的布局；选择的介质层如二氧化硅层和氮化硅、光敏性聚酰亚胺胶、BCB胶等介质层，作为绝缘分布于不同层间的金属走线的的绝缘介质层；金属层布线及介质层的交替布局，可以布大量金属走线，分布布局更多凸点，形成多层交错互连，凸点处于同一水平面；本发明通过在硅片表面上制备出不同膜层的硅转接板，使硅片尽可能增大线宽间距，减小工艺难度，增大线条的排布面积，增大密集度，使的在后续键合工艺中能方便容易，极大的降低了转接板的制作难度，也提高了硅转接板的利用率。
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