公开(公告)号：CN116363633A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211636523.6

申请日：2022-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社爱信

Inventor： 光森卓 ,  堀内佑树 ,  石原昌弘 ,  山西雄士 ,  武田友希

IPC: G06V20/59 ,  G06V10/12 ,  G06V40/16

Abstract: 本发明涉及驾驶员举动判定装置及其方法以及驾驶员举动判定用计算机程序。该驾驶员举动判定装置具有：视线方向检测部(31)，根据通过以拍摄车辆(10)的车室内的方式设置的摄像部(3)得到的图像，检测车辆(10)的驾驶员的视线方向；以及操作判定部(33)，计算在经由能够与位于车辆(10)内的便携设备(11)通信的通信部(2)从便携设备(11)接收到的信息中表示的便携设备(11)的操作画面的法线方向和视线方向所成的角度，在该角度包含于预定的角度范围内的情况下，判定为驾驶员正在操作便携设备(11)。

公开(公告)号：CN116363634A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211712649.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社爱信

Inventor： 石原昌弘 ,  堀内佑树 ,  山西雄士 ,  光森卓 ,  武田友希

IPC: G06V20/59 ,  G06V40/16 ,  G06V10/82

Abstract: 提供能够适当地推定车辆的驾驶员的情绪的情绪推定装置以及情绪推定方法。情绪推定装置具备：阈值设定部，其基于从由搭载于车辆的拍摄部在预定的时间范围所包含的时刻所生成的对车辆的驾驶员的面部进行表示的多个面部图像分别检测到的、对与成为面部的预定部位的基准的状态之间的背离的大小进行表示的多个面部特征量，设定面部特征量阈值；面部特征量确定部，其确定从由拍摄部在不包含于预定的时间范围的时刻所生成的多个所述面部图像分别检测到的多个面部特征量中的、比面部特征量阈值大的面部特征量；以及情绪推定部，其使用将所确定的面部特征量向下方进行标准化而得到的标准化特征量来推定驾驶员的情绪。

公开(公告)号：CN116353625A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211675483.6

申请日：2022-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社爱信

Inventor： 堀内佑树 ,  光森卓 ,  山西雄士 ,  武田友希 ,  石原昌弘

IPC: B60W60/00

Abstract: 提供能够对车辆的行驶进行控制以使得驾驶员不会感到不安的行驶控制装置以及行驶控制方法。行驶控制装置从表示了能够通过满足预定的安全基准的自动驾驶控制进行行驶的车辆的周边的周边图像检测一个以上的物体，从表示了车辆的驾驶员的面部区域的面部图像检测驾驶员的视线方向，确定一个以上的物体中的处于驾驶员的视线方向上的物体，在车辆的行驶期间中检测到由驾驶员进行的用于躲避危险的危险躲避操作时，将所确定的物体与表示检测到所确定的物体时的状况的状况条件相关联地存储于存储部，在车辆基于自动驾驶控制的行驶期间中检测到存储于存储部的物体、且检测到物体时的状况满足状况条件时，对预定的安全基准进行变更以使得驾驶员感觉更安全。

公开(公告)号：CN105981143B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN105706238B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201380080749.5

申请日：2013-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀内佑树 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明提供一种在绝缘栅双极性晶体管与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置中进一步减少损耗的技术。该半导体装置具备半导体基板，该半导体基板形成有至少一个绝缘栅双极性晶体管区域和至少一个二极管区域。在对半导体基板进行俯视观察时，绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域在预定的方向上相互邻接。在对半导体基板进行俯视观察时，集电区与阴极区邻接的第一边界面相对于在半导体基板的表面侧绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域邻接的第二边界面，向从阴极区朝向集电区的方向或从集电区朝向阴极区的方向中的任意一个方向偏移。

公开(公告)号：CN105981143A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN105706238A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201380080749.5

申请日：2013-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀内佑树 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明提供一种在绝缘栅双极性晶体管与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置中进一步减少损耗的技术。该半导体装置具备半导体基板，该半导体基板形成有至少一个绝缘栅双极性晶体管区域和至少一个二极管区域。在对半导体基板进行俯视观察时，绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域在预定的方向上相互邻接。在对半导体基板进行俯视观察时，集电区与阴极区邻接的第一边界面相对于在半导体基板的表面侧绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域邻接的第二边界面，向从阴极区朝向集电区的方向或从集电区朝向阴极区的方向中的任意一个方向偏移。