公开(公告)号：CN102473602A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034296.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1-x-y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x-0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝-2.504x2-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。

公开(公告)号：CN102301481A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006058.7

申请日：2010-01-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种p型SiC半导体元件的欧姆电极，其包括由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上的欧姆电极层。本发明还提供一种形成p型SiC半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上。该方法包括：在p型SiC半导体的表面上以原子组成比例Ti∶Si∶C为3∶1∶2的方式来包括Ti、Si和C的三元混合膜，以制造层压膜；以及在真空下或者在惰性气体气氛下对所制造的层压膜退火。

公开(公告)号：CN102668040A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080042659.3

申请日：2010-09-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  関章宪 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。

公开(公告)号：CN102473602B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080034296.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1?x?y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x?0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝?1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝?2.504x2?0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。

公开(公告)号：CN102668040B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080042659.3

申请日：2010-09-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  関章宪 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。