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发明授权
半导体发光元件有权转让

公开(公告)号：CN102246326B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN200980150297.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 龟井宏二 , 大庭玲美 , 程田高史

IPC: H01L33/42

CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40

Abstract: 一种半导体发光元件(1)，具备：基板(110)；含有发光层(150)并层叠于基板(110)上的叠层半导体层(100)；含有铟氧化物并层叠于叠层半导体层(100)上的透明电极(170)；含有作为阀作用金属的一种的钽，并且以与透明电极(170)接触的一侧为钽氮化物层或者钽氧化物层的方式层叠于透明电极(170)上的第1接合层(190)；层叠于第1接合层(190)上，用于与外部电连接的第1焊盘电极(200)。由此，使透明电极或者半导体层与连接电极的接合性以及电极的可靠性提高。

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