公开(公告)号：CN104752414A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410826580.X

申请日：2014-12-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 石黑雄也 ,  矢羽田孝辅 ,  荒添直棋 ,  松谷哲也

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及其简化的制造方法。发光单元包括单个基底衬底和在该单个基底衬底上的多个发光器件。发光单元包括使发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接的串联连接体。串联连接体包括：形成电流路径的发光器件；不形成电流路径的发光器件；以及将发光器件的n电极与p电极电连接的连接构件。

公开(公告)号：CN101055911B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200710090491.3

申请日：2007-04-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  荒添直棋

IPC: H01L33/00 ,  H04B10/12 ,  H04B10/02 ,  H04B10/04 ,  H04B10/06

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 一种发光元件，具有由GaN基半导体形成的阱层、由GaN基半导体形成的邻近所述阱层的势垒层和形成在所述阱层和所述势垒层之间的GaN基半导体层。所述GaN基半导体层具有掺杂剂，以消除在所述阱层和所述势垒层之间产生的压电场。

公开(公告)号：CN102142361A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010615087.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  荒添直棋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物类化合物半导体元件的制造方法，通过在结晶成长基板上结晶成长外延成长层，利用金属层把外延成长层的最终成长层与支撑基板接合，除去结晶成长基板，把外延成长层的初期成长层的基底层作为支撑基板上的外延成长层的最上层。从最终成长层的一侧，形成由具有氮反应性的金属构成的第1层、由对氯等离子体蚀刻具有耐性的可进行湿式蚀刻的金属构成的第2层、由具有氮反应性的对湿式蚀刻具有耐性的金属构成的第3层。从半导体元件的基底层使用氯等离子体进行蚀刻露出第2层的表面而形成元件分离槽。通过湿式蚀刻除去露出在元件分离槽的底面上的第2层，使第3层露出在元件分离槽的底面上，在元件分离槽上覆盖绝缘性保护膜。

公开(公告)号：CN101055911A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710090491.3

申请日：2007-04-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  荒添直棋

IPC: H01L33/00 ,  H04B10/12 ,  H04B10/02 ,  H04B10/04 ,  H04B10/06

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 一种发光元件，具有由GaN基半导体形成的阱层、由GaN基半导体形成的邻近所述阱层的势垒层和形成在所述阱层和所述势垒层之间的GaN基半导体层。所述GaN基半导体层具有掺杂剂，以消除在所述阱层和所述势垒层之间产生的压电场。