公开(公告)号：CN101978514B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980110336.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  福永修大 ,  横山泰典

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件，其特征在于：在基板(11)上按顺序层叠有由化合物半导体形成的n型半导体层(12)、发光层(13)以及p型半导体层(14)，还具备由导电型透光性电极形成的正极(15)以及由导电型电极形成的负极(17)，形成正极(15)的导电型透光性电极是包含具有六方晶构造的组成为In2O3的结晶的透明导电膜。

公开(公告)号：CN101427390B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN200780014544.1

申请日：2007-04-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 福永修大 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/086 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供驱动电压(Vf)低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件(1)的p型半导体层(14)上层叠含有掺杂物的透光性导电氧化膜(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，具备层叠透光性导电氧化膜(15)后，使用激光对该透光性导电氧化膜进行退火处理的激光退火工序。

公开(公告)号：CN102037576B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980118007.0

申请日：2009-05-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  福永修大

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体发光元件(1)，是具备基板(101)、在基板101上依次形成n型半导体层(104)、发光层(105)和p型半导体层(106)而构成的叠层半导体层(20)和在p型半导体层(106)的上面(106a)形成的透光性电极层(109)的半导体发光元件(1)，透光性电极层(109)含有掺杂元素，透光性电极层(109)中的掺杂元素的含有量，随着接近p型半导体层(106)与透光性电极层(109)的界面(109a)而逐渐减少。在透光性电极层(109)中形成有构成p型半导体层(106)的元素从界面(109a)向透光性电极层(109)内扩散而成的扩散区域。