公开(公告)号：CN101427390B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN200780014544.1

申请日：2007-04-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 福永修大 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/086 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供驱动电压(Vf)低、光取出效率高的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及氮化镓系化合物半导体发光元件和灯。所述的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是在氮化镓系化合物半导体元件(1)的p型半导体层(14)上层叠含有掺杂物的透光性导电氧化膜(15)的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，具备层叠透光性导电氧化膜(15)后，使用激光对该透光性导电氧化膜进行退火处理的激光退火工序。