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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117174794A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310644954.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明涉及发光元件。第一中间层为设置于第一活性层上的半导体层，位于第一活性层与第二活性层之间。第一中间层为从第一活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。第二中间层为设置于第二活性层上的半导体层，位于第二活性层与第三活性层之间。第二中间层为从第二活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。
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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN119855321A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411429564.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/824 , H10H20/841 , H10H20/831
Abstract: 提供提高了光输出和寿命的发光元件和发光装置。在使用包含Al的III族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件(1)中，具有：基板(10)；半导体层，其在基板(10)之上依次层叠有n型层(11)、发光层(12)、p型层(14)；孔(23)，其设置于p型层(14)表面的预定区域，且具有到达n型层(11)的深度；p侧电极(15)，其在p型层(14)之上与该p型层(14)接触地设置，且发光波长的紫外光的反射率为50％以上；以及n侧电极(16)，其设置于在孔(23)的底面暴露的n型层(11)之上或上方。孔(23)和n侧电极(16)具有二维排列的多个点的图案，p侧电极(15)的面积为0.75mm2以上。
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公开(公告)号：CN119967963A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575568.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/831
Abstract: 提供实现光输出的提高和正向电压的减少的正面朝上型且紫外发光的发光元件。在正面朝上型且发光波长为210nm～300nm且使用了III族氮化物半导体的发光元件中，具备：n型层(11)、设置在n型层之上的活性层(12)、设置在活性层之上的p型层(13)、设置在n型层之上的梳齿状的n侧电极(17)、在p型层之上与该p型层接触地设置且使发光波长的光透过的p侧接触电极(14)、以及设置在p侧接触电极之上的梳齿状的p侧电极(15)，p侧电极具备沿预定方向延伸的多个p侧延伸部(15A)，n侧电极具备沿预定方向延伸且配置于相邻的p侧延伸部之间的多个n侧延伸部(17A)，p侧延伸部与n侧延伸部之间的距离为140μm以下。
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公开(公告)号：CN118676275A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410298409.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成，具有：基板；设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层；设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层；设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层；设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层；设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层；从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽；设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层；设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层；第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
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