公开(公告)号：CN103069638A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039541.X

申请日：2011-08-15

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大江周 ,  佐藤敬二 ,  大桥满也 ,  三井俊典

IPC: H01M10/0568 ,  C01B25/455 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569

CPC classification number: H01M10/056 ,  C01D15/005 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0563 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明公开的是，在非水性有机溶剂中使三氯化磷、氯气和氯化锂反应，然后使在该溶剂中生成的反应产物与氟化氢反应而生成六氟磷酸锂的方法。该方法的特征在于，使在该溶剂中生成的该反应产物与氟化氢反应后进行过滤，并进一步将滤液脱气浓缩而得到六氟磷酸锂浓缩液。通过该方法，能够容易且廉价地制造高纯度的六氟磷酸锂浓缩液。

公开(公告)号：CN101606235B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200780050964.5

申请日：2007-07-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小川毅 ,  大桥满也

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种改性剂，其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数。具体地，公开一种用于低介电常数膜的改性剂，其特征在于，其包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分：R3-nHnSiN3？？？？(1)其中R表示C1-C4烷基；n表示0至3的整数。

公开(公告)号：CN113574020A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080021867.9

申请日：2020-03-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大桥满也 ,  滨名孝德 ,  绪方贵则 ,  中村隆一

IPC: C01G41/04

Abstract: 本发明的六氟化钨的制造方法包括如下工序：反应工序，使包含砷或砷化合物的钨与含氟元素的化合物气体反应，得到包含六氟化钨和三价砷化合物的混合物；和，蒸馏工序，将该混合物蒸馏纯化，将包含三价砷化合物的馏分分离去除，得到六氟化钨。

公开(公告)号：CN103069638B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201180039541.X

申请日：2011-08-15

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大江周 ,  佐藤敬二 ,  大桥满也 ,  三井俊典

IPC: H01M10/0568 ,  C01B25/455 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569

CPC classification number: H01M10/056 ,  C01D15/005 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0563 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明公开的是，在非水性有机溶剂中使三氯化磷、氯气和氯化锂反应，然后使在该溶剂中生成的反应产物与氟化氢反应而生成六氟磷酸锂的方法。该方法的特征在于，使在该溶剂中生成的该反应产物与氟化氢反应后进行过滤，并进一步将滤液脱气浓缩而得到六氟磷酸锂浓缩液。通过该方法，能够容易且廉价地制造高纯度的六氟磷酸锂浓缩液。

公开(公告)号：CN113574020B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202080021867.9

申请日：2020-03-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大桥满也 ,  滨名孝德 ,  绪方贵则 ,  中村隆一

IPC: C01G41/04

Abstract: 本发明的六氟化钨的制造方法包括如下工序：反应工序，使包含砷或砷化合物的钨与含氟元素的化合物气体反应，得到包含六氟化钨和三价砷化合物的混合物；和，蒸馏工序，将该混合物蒸馏纯化，将包含三价砷化合物的馏分分离去除，得到六氟化钨。

公开(公告)号：CN1886409A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035080.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小川毅 ,  村松善弘 ,  大桥满也

IPC: C07F7/08

CPC classification number: C07F7/0896

Abstract: 本发明提供一种有机硅烷的制造方法，通过将以式(1)SiXnR4－n…(1)(其中，X表示卤素或烷氧基，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷还原，制造对应的式(2)SiHnR4－n…(2)(其中，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷。该制造方法中，作为反应溶剂使用芳香族烃类有机溶剂，作为氢化剂使用氢化锂铝。

公开(公告)号：CN101606235A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780050964.5

申请日：2007-07-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小川毅 ,  大桥满也

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种改性剂，其用于降低用于半导体器件的低介电常数膜的相对介电常数。具体地，公开一种用于低介电常数膜的改性剂，其特征在于，其包含由式(1)表示的硅化合物作为有效成分：R3－nHnSiN3(1)，其中R表示C1－C4烷基；n表示0至3的整数。

公开(公告)号：CN100516074C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200480035080.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小川毅 ,  村松善弘 ,  大桥满也

IPC: C07F7/08

CPC classification number: C07F7/0896

Abstract: 本发明提供一种有机硅烷的制造方法，通过将以式(1)SiXnR4-n…(1)(其中，X表示卤素或烷氧基，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷还原，制造对应的式(2)SiHnR4-n…(2)(其中，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷。该制造方法中，作为反应溶剂使用芳香族烃类有机溶剂，作为氢化剂使用氢化锂铝。