一种二维金属纳米片及其制备方法和热界面材料

    公开(公告)号:CN118527662A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202310193330.6

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 本申请公开了一种二维金属纳米片及其制备方法和热界面材料,属于导热金属填料领域。一种二维金属纳米片的制备方法,包括以下步骤:S1、将含有纳米金属箔、辅助物质的混合物,破碎得到分散物;S2、将含有所述分散物、溶剂的物料混合后,固液分离得到所述二维金属纳米片。本申请利用纳米厚度的高纯度金属箔与在液相环境中易溶解或易刻蚀的脆性物质接触,通过高速的机械破碎,可得到具有相同纳米厚度的二维金属纳米片,自上而下的制备方法使得制备的二维金属纳米片无明显的晶格缺陷和杂质,继承了原始金属薄膜的高的本征特性,将其应用于导热填料领域,制备得到的热界面材料具有高的热导率。

    一种单晶α-Si3N4及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116623281A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310378617.6

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种单晶α‑Si3N4的制备方法,在真空条件下,利用电子束辐照镀有氮化硼薄膜的硅衬底制备而成。本发明还公开了由所述的制备方法制备得到的单晶α‑Si3N4,所述的单晶α‑Si3N4的形状为花朵状、松树状、蕨叶状或针状。针状的单晶α‑Si3N4在325nm的激发光下,在540nm与633nm处有发射峰,针状的单晶α‑Si3N4由镀有2~3μm厚氮化硼薄膜的硅衬底在78~85keV的辐照电压和18~25mA的辐照束流下辐照90~120s制备获得。本发明在不使用气体和催化剂的条件下制备了单晶α‑Si3N4,制备方法简单易行,原料易得,节能且对环境无污染,并且所得的针状单晶α‑Si3N4具有光致发光性能,在微纳光电子器件中有很好的应用前景。

    基于金刚石基底的防伪标识焊印方法、装置及应用

    公开(公告)号:CN116604120B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310902399.1

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石基底的防伪标识焊印方法、装置及应用。所述焊印方法包括:提供表面具有第一微纳结构的金刚石基体;作为模板,沉积形成特征金属结构,形成第二微纳结构,第二微纳结构能够形成结构色;使特征金属结构与承印物表面抵触,并加热后冷却,以使两者能够分离,并使特征金属结构焊接至承印物表面形成防伪标识。本发明所提供的焊印方法与装置,其中的金刚石基体拥有极高的硬度、极强的化学稳定性和热稳定性,以及极高的热导率,能够起到生长模板作用并在焊印过程中起承载作用和导热作用;同时,金刚石基体和金属之间存在较大的热膨胀差异,在快速降温过程能够与特征金属结构轻松分离,完成焊印,保密性强,不易被窥探。

    基于金刚石基底的防伪标识焊印方法、装置及应用

    公开(公告)号:CN116604120A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310902399.1

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石基底的防伪标识焊印方法、装置及应用。所述焊印方法包括:提供表面具有第一微纳结构的金刚石基体;作为模板,沉积形成特征金属结构,形成第二微纳结构,第二微纳结构能够形成结构色;使特征金属结构与承印物表面抵触,并加热后冷却,以使两者能够分离,并使特征金属结构焊接至承印物表面形成防伪标识。本发明所提供的焊印方法与装置,其中的金刚石基体拥有极高的硬度、极强的化学稳定性和热稳定性,以及极高的热导率,能够起到生长模板作用并在焊印过程中起承载作用和导热作用;同时,金刚石基体和金属之间存在较大的热膨胀差异,在快速降温过程能够与特征金属结构轻松分离,完成焊印,保密性强,不易被窥探。

    一种金属膜热镀覆装置及方法

    公开(公告)号:CN114990491A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210453601.2

    申请日:2022-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种金属膜热镀覆装置和方法,其中公开的金属膜热镀覆装置,包括设有进气管和出气管的腔体,温控系统和用于控制真空度和气氛成分的气氛控制系统,所述腔体内可拆卸连接有若干个蒸镀室,所述温控系统控制各蒸镀室内的温度;所述蒸镀室包括室座,所述室座上设有用于放置蒸镀源的蒸镀源位,围绕所述蒸镀源位连续设有阻隔槽,所述阻隔槽上可拆卸连接有室盖,所述室盖内壁与室座形成样品室,所述样品室内的室座上设有用于放置待蒸镀样品的放置处;所述阻隔槽内放置有熔点低于蒸镀源工作温度的可熔融颗粒物。本发明还公开了金属膜热镀覆方法,采用前述的金属膜热镀覆装置对待蒸镀样品进行镀膜。

    一种复合结构纯无机热界面材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118006306A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410115848.2

    申请日:2024-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种复合结构纯无机热界面材料及其制备方法与应用。所述复合结构纯无机热界面材料包括:石墨烯基热界面材料,其包括第一表面和第二表面,所述第一表面、第二表面相对设置;以及,分别紧密结合于所述第一表面、第二表面的第一金属镀层和第二金属镀层。所述制备方法包括:对石墨烯基热界面材料依次进行表面处理、表面清洁,之后镀覆金属镀层金属镀层,制得复合结构纯无机热界面材料。本发明提供的复合结构纯无机热界面材料的上下表面均附着有致密且分布均匀的金属镀层,金属镀层与石墨烯基热界面材料基体之间结合牢固,不易脱落,不存在“掉粉”情况,且有效降低其热阻,具有导热性能优异、热阻低且不易产生粉尘脱落的特点。

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