一种单晶α-Si3N4及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116623281A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310378617.6

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种单晶α‑Si3N4的制备方法,在真空条件下,利用电子束辐照镀有氮化硼薄膜的硅衬底制备而成。本发明还公开了由所述的制备方法制备得到的单晶α‑Si3N4,所述的单晶α‑Si3N4的形状为花朵状、松树状、蕨叶状或针状。针状的单晶α‑Si3N4在325nm的激发光下,在540nm与633nm处有发射峰,针状的单晶α‑Si3N4由镀有2~3μm厚氮化硼薄膜的硅衬底在78~85keV的辐照电压和18~25mA的辐照束流下辐照90~120s制备获得。本发明在不使用气体和催化剂的条件下制备了单晶α‑Si3N4,制备方法简单易行,原料易得,节能且对环境无污染,并且所得的针状单晶α‑Si3N4具有光致发光性能,在微纳光电子器件中有很好的应用前景。

    一种样品转移装置及TEM样品的制备方法

    公开(公告)号:CN118645415A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410355200.2

    申请日:2024-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种样品转移装置及TEM样品的制备方法,涉及微纳加工领域,该装置包括控制模块、驱动模块、移动模块、转轴、样品台、夹具台及基础夹具,基础夹具设于转轴上用于固定rowbar夹具,rowbar夹具用于固定半分铜载网以使各铜柱沿轴心方向依次排布,驱动模块驱动转轴调节至初始0度位,移动模块将第一薄片沿竖直方向从原始样品上提取并将该第一薄片转移至处于初始0度位的半分铜载网处,驱动模块驱动转轴调节至使第二薄片的待加工面与芯片平行的90度位,移动模块将第二薄片转移至芯片上的指定位置以便焊接。该方案可靠地实现了样品平行焊接至芯片的指定位置,且根据实际需求同样可灵活适用于芯片与样品间多种角度焊接。

    一种样品转移装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221977859U

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202420602433.3

    申请日:2024-03-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种样品转移装置,涉及微纳加工领域,其包括控制模块、驱动模块、移动模块、转轴、样品台、夹具台及基础夹具,基础夹具设于转轴上用于固定rowbar夹具,rowbar夹具用于固定半分铜载网以使各铜柱沿轴心方向依次排布,驱动模块驱动转轴调节至初始0度位,移动模块将第一薄片沿竖直方向从原始样品上提取并将待加工面呈竖直方向的第一薄片转移至处于初始0度位的半分铜载网处,驱动模块驱动转轴调节至使第二薄片的待加工面与芯片平行的90度位,移动模块将第二薄片转移至芯片上的指定位置以便进一步焊接。该方案可靠地实现了样品平行焊接至芯片的指定位置,且根据实际需求同样可灵活适用于芯片与样品间多种角度焊接。

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