公开(公告)号：CN118800298A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410776784.0

申请日：2024-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  张江国家实验室

Inventor： 李喜 ,  吴青玉 ,  解晨晨 ,  宋志棠 ,  丁星

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器自适位线钳位高速数据读出电路及方法，其中，读出电路包括：自适应预充电控制电路、预充电支路、钳位电路、参考单元、目标相变存储单元和比较电路。其中，自适应预充电控制电路用于根据读脉冲信号、钳位电路的第一输出信号和钳位电路的第二输出信号自适应控制预充电信号PRC的状态；所述预充电支路根据所述预充电信号PRC对目标位线BL和参考位线BLB进行预充电；比较电路与所述钳位电路相连，用于将所述目标位线BL和参考位线BLB的电压进行比较，并输出读电压信号。本发明能够改善现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度。

公开(公告)号：CN118588134A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410776753.5

申请日：2024-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  张江国家实验室

Inventor： 周夕淋 ,  王若琴 ,  王若冰 ,  李喜 ,  宋志棠 ,  丁星

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/54

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器高可靠操作方法，包括：使用预操作调整存储单元的写疲劳状态；每次重新调整单元写疲劳状态后，将待测单元分别操作到需要对应的初始态，然后对存储单元执行读循环操作，并获取对应的电阻值；将收集的电阻值与对应的写、读操作条件进行匹配分析，以筛选可使半导体存储器具有超长读耐久性的读操作电压，最后优化并验证筛选条件。通过本发明，半导体存储器在特定读操作电压下表现出超长的读耐久性，实现了高可靠操作，为面向存算一体的神经网络领域的应用提供了候选器件。