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公开(公告)号：CN113072099A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010006214.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。
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公开(公告)号：CN110117780A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910208837.8
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维材料层及制备方法，包括步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成二维材料层；采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面，所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦，从而延长器件的寿命，减少功耗，提高效率，还能节能环保，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN113072099B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010006214.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。
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公开(公告)号：CN110117780B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910208837.8
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维材料层及制备方法，包括步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成二维材料层；采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面，所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦，从而延长器件的寿命，减少功耗，提高效率，还能节能环保，减少经济损失。
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