-
公开(公告)号：CN113933364A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111031603.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , G01N33/531 , G01N33/535 , G01N33/543 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线场效应生化传感器的靶标物浓度检测方法，包括制备免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒；修饰硅纳米线场效应生化传感器，用于识别不同的所述三层结构催化所述pH酶的底物发生催化反应所产生的pH变化；使免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液的pH；将待测溶液进行磁性分离，取上清液在硅纳米线场效应生化传感器上进行pH检测，根据浓度与pH的标准曲线，得到靶标物的浓度。本发明将靶标物浓度转化为pH变化，利用硅纳米线场效应生化传感器对该pH变化进行检测，根据其电流变化量，能够实现靶标物的定性与定量测定，简单稳定，灵敏度高，检测准确性好，通用性强。
-
公开(公告)号：CN111721710B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
-
公开(公告)号：CN112029834A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202011031587.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/6858 , C12Q1/6827
Abstract: 本发明公开了一种核酸羟甲基化修饰的检测方法及其应用，所述方法包括以下步骤：将核酸样品分为两份，分别为第一样品和第二样品；所述第一样品依次经过氧化反应、亚硫酸盐处理和PCR扩增，得到氧化硫化扩增物；所述第二样品依次经过亚硫酸盐处理和PCR扩增，得到硫化扩增物；将所述氧化硫化扩增物与所述硫化扩增物杂交产生错配，形成杂交结构；酶切割所述杂交结构，得到目标样品；采用生化传感器对所述目标样品进行定量检测。本发明利用错配切割酶识别由于氧化反应在羟甲基胞嘧啶位点产生的错配，借助电化学平台产生差别信号，能够检测基因中任意位点的羟甲基胞嘧啶变化情况，从而可以成为细胞分化、肿瘤发生及药物疗效等评估的关键技术和手段。
-
公开(公告)号：CN111257316A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010087431.1
申请日：2020-02-11
Applicant: 军事科学院系统工程研究院卫勤保障技术研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种便携式纳米检测仪，其包括：纳米传感装置，设有用于与样品溶液中靶分子结合产生变化电信号的纳米传感器；所述纳米传感装置设在暗室内；信号处理及采集模块，与纳米传感器电连接，将变化电信号放大处理后采集并传输给中心控制模块；中心控制模块根据预先设定的计算机程序将所述变化电信号转化成可视化检测结果，通过显示屏显示；光学校准装置，其包含设于该暗室内、能够调节光强和/或光波长的发光元件，用于在检测前对纳米传感器性能进行校验和标定。本发明可提高纳米传感器的检测抗干扰能力和结果重现性。
-
公开(公告)号：CN113960144A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110985591.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端的电压大小将负载电容在充电和放电状态之间切换，根据电压大小输出高低电平，以产生方波信号，获取其频率，得到硅纳米线FET传感器的实时电阻值；和显示装置，设置为接收并显示硅纳米线FET传感器的实时电阻值的数据。本发明还提供了相应的方法。本发明的装置具有体积小、电路结构简单、高效、低成本、低功耗、低温漂、器件无损、检测范围大、自适应能力强和完全不存在失配问题的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113933364B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111031603.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , G01N33/531 , G01N33/535 , G01N33/543 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线场效应生化传感器的靶标物浓度检测方法，包括制备免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒；修饰硅纳米线场效应生化传感器，用于识别不同的所述三层结构催化所述pH酶的底物发生催化反应所产生的pH变化；使免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液的pH；将待测溶液进行磁性分离，取上清液在硅纳米线场效应生化传感器上进行pH检测，根据浓度与pH的标准曲线，得到靶标物的浓度。本发明将靶标物浓度转化为pH变化，利用硅纳米线场效应生化传感器对该pH变化进行检测，根据其电流变化量，能够实现靶标物的定性与定量测定，简单稳定，灵敏度高，检测准确性好，通用性强。
-
公开(公告)号：CN113933289A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111031601.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/78 , G01N21/01 , G01N33/52 , G01N33/543 , G01N33/552 , G01N33/58
Abstract: 本发明公开了一种基于检测试纸的靶标物半定量检测方法及检测试纸，包括通过共价修饰试剂，同时将探针一和pH酶的混合液共价修饰到二氧化硅纳米颗粒上，得到免疫硅纳米颗粒；将配对探针二与磁珠孵育，得到免疫磁珠；将免疫硅纳米颗粒、免疫磁珠与靶标物结合，形成免疫磁珠‑靶标物‑免疫硅纳米颗粒的三层结构；再与pH酶的底物发生催化反应，以改变待测溶液pH；将待测溶液的上清液滴加在检测试纸上，根据颜色变化以及浓度与pH的标准曲线，得到靶标物浓度的半定量检测结果。本发明采用检测试纸进行快速半定量，同时采用纳米免疫磁珠分离技术和免疫硅纳米粒子偶联吸附技术，适用于多种靶标物的快速检测，灵敏度高，通用性强，大大提升检测效率。
-
公开(公告)号：CN111720390B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910950177.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: F15D1/00 , F16L55/045 , F16L55/055 , G01D3/028
Abstract: 本发明涉及检测设备技术领域，特别涉及一种流体流速稳定系统。包括：流速稳定腔和顶盖，所述流速稳定腔与所述顶盖密封连接；所述流速稳定腔的上部或所述顶盖上设有第一端口，所述第一端口与所述流速稳定腔连通；所述流速稳定腔的底部设有第二端口；所述第一端口和/或第二端口的截面积小于所述流速稳定腔的截面积。利用流体流速稳定系统，可以低成本高效的解决液体泵的流速不稳定的现象对流速敏感的传感器检测产生负面影响，并且不需要节流阀和压力表等昂贵设备的配合。通过在流速敏感的传感器加上稳流装置，消除传感器表面的流速变化，方便后端信号处理单元对传感器输出信号进行处理。
-
公开(公告)号：CN111721708B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010073580.2
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调控硅纳米线传感器灵敏度的装置及方法，所述装置包括用于输出测试目标物的敏感信号，并将敏感信号转换为电信号的硅纳米线传感器，用于为硅纳米线传感器提供预设光照强度的光源；用于调节预设光照强度的光功率调节器以及进行信号处理和反馈的信号处理器。该装置通过在硅纳米线传感器的顶端设置功率可调光源，改变其周围的光照条件，从而实现调控其灵敏度的功能。该方法利用硅纳米线传感器在不同的光照强度下具有不同的响应灵敏度，通过设定合适的光照条件来调控传感器的灵敏度。本发明结构简单，操作方便，对器件没有损伤，可以实现对硅纳米线传感器灵敏度的便捷、有效调控。
-
公开(公告)号：CN111721710A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.036 seconds)
