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公开(公告)号：CN118112716A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410058957.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122 , G02F1/00 , G02F1/03 , G02F1/35 , G02F1/365 , G02F1/355 , G02F1/035 , G02B6/136 , G02B6/13 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种集成光子芯片及其制备方法。本申请实施例提供的集成光子芯片具有同一支撑衬底，还包括位于所述支撑衬底上的钽酸锂光子系统，所述钽酸锂光子系统包括光传输波导；位于所述钽酸锂光子系统上的电互联系统，所述电互联系统包括行波电极、焊接电极和用于连接所述行波电极、所述焊接电极的引线。从而使得该集成光子芯片兼具成本低和优异的光学性能。
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公开(公告)号：CN117970568A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410059030.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子结构的形成方法、光子结构及光子芯片。通过提供一异质结构；所述异质结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成类金刚石掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述钽酸锂层进行刻蚀，并去除所述类金刚石掩膜，得到目标光子结构。从而能够使得刻蚀出的钽酸锂功能层的结构形貌光滑，具有高速电光调制同时保证低损耗传输的光子芯片。
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公开(公告)号：CN117950214A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058124.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于钽酸锂的电光调制器件及制备方法，所述电光调制器件包括：衬底；位于所述衬底上的光学器件层；所述光学器件层为对形成在所述衬底上的钽酸锂薄膜层进行刻蚀得到；位于所述光学器件层上的保护层；位于保护层上的槽型电极层；其中，所述槽型电极层的槽型电极设置有至少两个空气槽，相邻两个所述空气槽的间距为10um～100um，所述空气槽的宽度为2～30um，所述空气槽的长度为4～30um。通过在电光调制器中的行波电极设计空气槽对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配。
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公开(公告)号：CN117908186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410104574.7
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备方法，从下至上依次包括硅基光电子层(I)、中间层(II)、铌酸锂层或钽酸锂层(III)；所述硅基光电子层(I)从下至上包括衬底(1)、绝缘层(2)、硅波导(3)、InP激光器(4)、硅锗光电探测器(5)和热光移相器(6)。本发明基于铌酸锂(或钽酸锂)优良的电光调制性能，聚焦于特殊的键合方法和CMOS兼容的硅光子流片工艺，获得了铌酸锂(或钽酸锂)‑硅多层结构，进一步地实现了激光器、光电探测器、电光调制器全集成的收发一体光芯片，其能够满足当前片上光系统对于高紧凑性和低功耗的要求。
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公开(公告)号：CN117872530A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059037.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子芯片的制备方法及光子芯片。通过提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成钽酸锂波导；去除所述光刻胶，得到光子芯片。通过对钽酸锂层进行深刻蚀，使得得到的条形波导可以有效改善水平方向的光场限制，降低波导弯曲半径大小的限制，从而获得更高集成密度的钽酸锂光子芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117950242A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058164.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种光学频率梳产生装置、光学系统及光电设备。光学频率梳产生装置包括：泵浦光源和集成光子芯片；泵浦光源用于产生泵浦光；集成光子芯片包括钽酸锂器件层；钽酸锂器件层中形成有耦合波导和环形谐振腔；耦合波导靠近环形谐振腔设置；耦合波导用于将泵浦光源产生的泵浦光耦合进环形谐振腔，以使环形谐振腔产生光学频率梳。通过采用在钽酸锂器件层中形成环形谐振腔，由于钽酸锂具有较小的双折射效应，可以有效地减弱横向模场和纵向模场的兼并，即其腔内模场间不会产生干扰，使其能够同时满足环形谐振腔中模式交叉的消除以及平面内高电光效应的保持，从而实现高速可调谐、大转换效率片上光学频率梳。
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公开(公告)号：CN116819805A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
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公开(公告)号：CN116755265A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310641466.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC‑LN异质薄膜、金属叉指结构，其中SiC‑LN异质薄膜设在所述衬底上，金属叉指结构设在所述SiC‑LN异质薄膜上。本发明结合LN、SiC的优异材料性能，利用特殊的晶圆集成方法和易实现的加工工艺获得基于SiC/LN/SiC异质结构的波导耦合结构，其能够局域地限制光波和声表面波，再结合金属叉指结构、光栅耦合器和声波散射结构可实现高场重叠、长耦合距离的声光耦合效应，进而获得满足模式间散射条件的非互易性波导。
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公开(公告)号：CN117950215A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058148.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单片集成电光调制器及制备方法。电光调制器包括：衬底、电光材料层、折射率调控结构和电极层；电光材料层集成在衬底上，电光材料层中形成有光传输波导；折射率调控结构包括介电材料层，介电材料层设置在电光材料层上；电极层设置在介电材料层上。该电光调制器，通过在电光调制器中设计折射率调控结构来对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配，从而实现了高传输速率、低能耗的单片集成高速电光调制器。
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公开(公告)号：CN117872529A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059032.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种片上波导的形成方法及光子芯片。具体可以通过提供一复合衬底结构；所述复合衬底结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的波导材料层；在所述波导材料层上形成掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述波导材料层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成波导，得到波导结构；利用预设腐蚀液去除所述波导结构中的刻蚀再沉积物；所述预设腐蚀液为双氧水和强碱溶液的混合溶液。从而能够提高制备波导结构的效率和精度。
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