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公开(公告)号：CN111422860A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110683533B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
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公开(公告)号：CN114122194B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
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公开(公告)号：CN111422860B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN114122194A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111406267.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程中精确控制实验参数，即可自组装形成MoX2/WX2横向异质结；通过改变X蒸汽的引入时间，还可以控制制备的MoX2/WX2横向异质结的层数；本发明制备方法重复性高、简单易行、无需复杂精确的实验操作、获得的MoX2/WX2横向异质结边界锐利，没有产生合金现象，且制备的MoX2/WX2横向异质结转移方便，适用性较广，从而本发明可大大降低目前制备横向异质结的门槛。
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公开(公告)号：CN110683533A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
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